[发明专利]一种外延层的生长方法

权利要求书

1.一种外延层的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供裸晶圆；

步骤二、在所述裸晶圆表面生长第一外延层，所述第一外延层掺杂；

步骤三、在所述第一外延层表面生长第二外延层，所述第二外延层不掺杂；

步骤四、重复步骤二至步骤三直至达到预设厚度；

步骤五、通过SEM分析表面形貌以及粗糙度，STEM切片确认各层厚度以及平均的生长速率。

2.根据权利要求1所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤二中所述第一外延层的掺杂元素为砷。

3.根据权利要求1所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤三中所述第二外延层的材质为单晶硅。

4.根据权利要求1所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤二中所述第一外延层和和步骤三中所述第二外延层均采用化学气相沉积工艺形成。

5.根据权利要求2所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤二中以AsH3为掺杂气源进行所述第一外延层的生长。

6.根据权利要求5所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤三中关闭所述掺杂气源AsH3。

7.根据权利要求1所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤二和步骤三在外延腔中进行。

8.根据权利要求1所述的外延层的生长方法，其特征在于，步骤五中所述生长速率增大，所述粗糙度降低。