[发明专利]用于处理腔室的衬里

说明书

本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。

本申请是申请日为2019年8月5日申请的申请号为201910717274.5，并且发明名称为“用于处理腔室的衬里”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本文所述的实施方式一般地涉及用于处理腔室的衬里，并且尤其是，涉及用于外延处理腔室中的具有多件式设计的热阻挡衬里。

背景技术

用于制造半导体器件和其它电子或显示器件的处理腔室，包括外延热处理腔室，对于在基板上沉积介电膜特别有用。在常规热化学气相沉积(CVD)工艺中，将反应气体供应到基板表面，在那里发生热诱导的化学反应以产生期望的膜。可以通过控制腔室的温度来控制反应速率。

用于沉积某些膜(诸如介电膜)的处理腔室在处理期间在非常高的温度下操作，并且在腔室清洁工艺期间在甚至更高的温度下操作。然而，这些高温可能会对处理腔室的金属壁有害。

为了遮蔽金属壁以免受高温，已经在处理腔室内使用衬里，诸如热阻挡衬里。典型地，衬里的大小设定为嵌套在从金属壁延伸的基环内或沉积在基环上。然而，由于腔室衬里内表面与更冷的基环之间的热传递，在衬里各处常常会损失热。这使腔室衬里内表面处产生较低温度，并且在腔室的处理和清洁期间导致在腔室内的较长热斜升时间。它还导致在基环附近的较高温度，这样需要更多的冷却水来帮助冷却该区域。较长热斜升时间和更多的冷却水需要使用更多能量，从而减少产量并增加拥有成本。

因此，需要一种用于处理腔室的最小化热损失并减少腔室内的热斜升时间的衬里。

发明内容

本文所述的一个或多个实施方式提供用于热处理腔室、诸如外延处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。

在一个实施方式中，一种用于处理腔室的衬里包括：外部部分，所述外部部分具有内表面和外表面；内部部分，所述内部部分具有内表面和外表面；其中所述外部部分的所述内表面的一部分在至少一个接合点处与所述内部部分的所述外表面热接触，所述至少一个接合点具有在所述外部部分的所述内表面的所述部分与所述内部部分的所述外表面之间的接触区域；并且所述内部部分具有第一热质量，并且所述外部部分具有第二热质量，所述第一热质量小于所述第二热质量。

在另一个实施方式中，一种用于处理腔室的衬里包括：外部部分，所述外部部分具有内表面和外表面；内部部分，所述内部部分具有内表面和外表面；第一涂层材料，所述第一涂层材料设置在所述内部部分的所述内表面的至少一部分上；第二涂层材料，所述第二涂层材料设置在所述内部部分的所述外表面的至少一部分上和所述外部部分的所述内表面的至少一部分上；其中所述外部部分的所述内表面的一部分在至少一个接合点处与所述内部部分的所述外表面接触，所述至少一个接合点具有在所述外部部分的所述内表面的所述部分与所述内部部分的所述外表面之间的接触区域；并且所述第一涂层材料具有比所述第二涂层材料高的吸收系数。