[发明专利]一种磁性存储单元及磁性存储器

权利要求书

1.一种磁性存储单元，其特征在于，包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，所述上电极、所述钉扎层、所述耦合层、所述固定磁性层、所述隧穿势垒层、所述自由磁性层和所述下电极依次堆叠设置，所述耦合层用于将所述固定磁性层和所述钉扎层形成反铁磁耦合，所述钉扎层用于消除所述固定磁性层对所述自由磁性层的杂散场，且所述钉扎层内设置有材料掺杂区。

2.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述材料掺杂区设置为多个，多个所述材料掺杂区均匀布设于所述钉扎层内。

3.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述材料掺杂区为合金材料。

4.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述材料掺杂区的材料包括钒、铬、铜、铌、钼、钌、铑、钽、钨、铼、铱、铌、锆、钇、铁、镍、钴、硼、碳、氮、氧、钕、铕、钆、铽、镝、钬、锰、铝、硅、磷、镓、锗、砷、铟、锡、锑的其中一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述钉扎层的材料包括铁磁材料、反铁磁材料或亚铁磁材料。

6.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述固定磁性层的材料包括铁磁材料、反铁磁材料或亚铁磁材料。

7.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述自由磁性层的材料包括铁磁材料、反铁磁材料或亚铁磁材料。

8.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述隧穿势垒层的材料为金属氧化物。

9.根据权利要求1所述的磁性存储单元，其特征在于，所述耦合层的材料包括钒、铬、铜、铌、钼、钌、铑、钽、钨、铼、铱的其中一种或多种组合。

10.一种磁性存储器，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的磁性存储单元。