[发明专利]一种PMMA微流控芯片封装方法及PMMA微流控芯片

权利要求书

1.一种PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供待封装的PMMA微流控芯片，所述PMMA微流控芯片包括配合使用的芯片盖板和芯片底板，所述芯片底板的待键合表面设有微流通道以及与微流通道两端连通且贯通芯片底板的第一通孔和第二通孔；

将相变材料加热至熔融状态后滴加到所述芯片底板的微流通道中并完全填充所述微流通道；

待所述相变材料冷却凝固后，在芯片底板的待键合表面除微流通道外的区域覆盖一层溶剂；所述溶剂能键合PMMA芯片且不与相变材料发生反应；

将芯片盖板与芯片底板对齐合上，所述溶剂浸润芯片底板和芯片盖板的待键合表面并在二者之间形成液桥；

垂直提起所述芯片盖板，所述芯片底板通过液桥力沿垂直方向上的分力克服自身重力吸附在芯片盖板底部，通过液桥力沿水平方向的分力与芯片盖板按轮廓自动对齐；

静置至所述溶剂完全作用后，芯片盖板和芯片底板紧密结合，键合完成；

加热所述微流控芯片至微流通道内的相变材料熔化，再通过第一通孔和第二通孔将微流通道内熔化的相变材料吹出，至此完成微流控芯片的封装。

2.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，所述相变材料为硫代硫酸钠、琼脂、石蜡、聚己内酯中的任意一种。

3.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，所述溶剂选自甲苯、二氯甲烷、乙酸、二氯乙烷、氰化甲烷、丙酮、异丙醇中的任意一种。

4.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，在芯片底板的待键合表面覆盖的溶剂的厚度为100～200um。

5.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，所述相变材料的熔点在30-100℃范围内。

6.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，所述加热温度大于相变材料的熔点且小于115度。

7.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，还包括：将熔融状态的相变材料完全填充所述微流通道后，刮除芯片底板上多余的相变材料。

8.如权利要求1所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，还包括：将微流通道内熔化的相变材料吹出后，清洗并干燥所述微流通道。

9.如权利要求1至8任意一项所述的PMMA微流控芯片封装方法，其特征在于，还包括：

在键合过程中，通过升高环境温度、微波处理、紫外光处理中的至少一种方式提升键合效率。

10.一种PMMA微流控芯片，其特征在于，采用如权利要求1至9任意一项所述的方法封装而成。