[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

根据本发明的实施例，基板处理装置包括:基座；以及安装在上述基座上部的盖机构，上述基板置于上述盖机构上，上述盖机构包括：具有一个以上气隙的盖框架；以及一个以上的盖，具有与各上述气隙对应的形状且可安装在上述一个以上气隙中的各气隙内，上述气隙的深度是上述基板的厚度的至少三倍。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，特别涉及利用安装于基座上部的盖机构处理基板的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

等离子体氮化工序中的N％浓度均匀度要求伴随装置微细化的高水平散布的改良技术。特别是，可基于N％浓度图独立控制中心/边缘的技术，成为最重要的工序控制要素。

传统的等离子体氮化装置，通过手动调节基座高度或天线高度来调节均匀度，但是这种方式也很难满足现代工艺微细化所要求的水平。特别是，上述方法由于存在中心区域和边缘区域不能独立控制的问题，所以不能满足装置所要求的均匀度，或者其边缘区域的N％浓度降低加剧。为了改善这个问题，试图利用2个或更多的天线分配中心/边缘以实现N％浓度的独立控制。但是，随着天线数量的增加，不只是RF匹配率因等离子体的干涉而受到限制，还存在需要改变核心部件甚至装置的机械设计的问题。

【在先技术文献】

【专利文献】

(专利文献0001)韩国注册专利公报0954709号(2010.04.23)

发明内容

发明所要解决的课题

本发明提供一种能够容易调节工艺均匀度的基板处理装置及基板处理方法。

本发明的其他目的将在后面的详细说明和附图中变得明晰。

课题的解决方案

根据本发明的一实施方式，基板处理装置包括：基座；以及安装在上述基座上部的盖机构，上述基板置于上述盖机构上，上述盖机构包括：具有一个以上气隙的盖框架；以及一个以上的盖，具有与各上述气隙对应的形状且可安装在上述一个以上气隙中的各气隙内，上述气隙的深度是上述基板的厚度的至少三倍。

上述气隙可包括：位于中心的中心气隙；多个中间气隙，沿着上述中心气隙的周缘设置，上述中间气隙具有20度以上的中心角度；以及多个边缘气隙，沿着上述中间气隙的周缘设置，上述边缘气隙具有20度以上的中心角度。

上述盖框架可包括：盘，与上述基座的上表面平行配置；及多个间隔板，设在上述盘的上表面上以形成上述基板和上述盘之间的气隙，上述间隔板具有上述基板厚度的三倍以上厚度，上述间隔板包括：多个圆形间隔板，与上述盘的中心同心地设置；及多个放射形间隔板，分别相对于上述盘的中心径向配置而连接上述圆形间隔板。

上述盖可包括：中心盖，可安装在上述中心气隙内；多个中间盖，各自可安装在上述中间气隙内；及多个边缘盖，各自可安装在上述边缘气隙内。

上述盖框架和上述盖的材料不同。

根据本发明的实施例，基板处理方法利用盖机构实施基板处理，所述盖机构安装在基座上，且所述盖机构包括具有一个以上气隙的盖框架和可各自安装到上述一个以上气隙的各气隙内的一个以上盖，上述方法包括：对置于上述盖机构顶部的第一基板执行加工；测量第一基板的加工率；移除与第一基板的具有低加工率的部分对应的盖，由此，在第一基板的具有低加工率的部分的下部配置上述气隙；以及对置于上述盖机构顶部的第二基板实施加工。

根据本发明的另一实施例的基板处理方法，利用盖机构实施基板处理，所述盖机构安装在基座上，且所述盖机构包括具有一个以上气隙的盖框架和可各自安装到上述一个以上气隙的各气隙内的一个以上盖，上述方法包括：对置于上述盖机构顶部的第一基板执行加工；测量第一基板的加工率；设置上述多个盖，以使在上述第一基板的具有低加工率的部分下部配置的上述第一盖具有比在上述第一基板的具有高加工率的部分下部配置的第二盖小的介电常数；及对置于上述盖机构的顶部的第二基板实施加工。

附图说明