[发明专利]一种基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器在审

专利信息
申请号: 202310043408.6 申请日: 2023-01-29
公开(公告)号: CN116046722A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 汪婧玉;江宁;刘志军 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;H01Q1/22;H01Q15/00
代理公司: 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 代理人: 曹广生
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 窄线宽暗模超 表面 天线 折射率 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,包括从下到上依次设置的Si衬底、Cu膜、ZnSe介质膜以及周期性“T”字形Au天线。

2.如权利要求1所述的基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,所述Cu膜的厚度为100-300nm。

3.如权利要求1所述的基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,所述ZnSe介质膜的厚度为200-400nm。

4.如权利要求1所述的基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,所述周期性“T”字形Au天线的厚度为50-150nm。

5.如权利要求1所述的基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,所述周期性“T”字形Au天线的尺寸依据特定的工作波长确定。

6.如权利要求1或5所述的基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,所述周期性“T”字形Au天线的尺寸满足条件天线长度(L1+L2)=λ/n、L1=L2以及W2-W1≥350nm,其中L1和W1为左边天线较窄部分的长度和宽度,L2和W2为右边天线较宽部分的长度和宽度。

7.如权利要求6所述的基于窄线宽暗模超表面天线的折射率传感器,其特征在于,所述周期性“T”字形Au天线产生磁二极子暗模式共振,天线在左边较窄部分和右边较宽部分产生两个方向相反的共振电流回路,两个共振电流回路辐射的光场干涉相消,以降低光场的辐射损耗,实现具有窄线宽特征的共振暗模式。

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