[发明专利]一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺有效
申请号: | 202310045203.1 | 申请日: | 2023-01-30 |
公开(公告)号: | CN115798946B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 左卫雄;刘雅妮;潘凡峰 | 申请(专利权)人: | 昆山美淼新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/34;H01G11/48;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/583;H01M4/58;H01M4/60;H01M4/04;H01M4/139 |
代理公司: | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人: | 刘韩韩 |
地址: | 215332 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 石墨 多元 复合 电极 生产工艺 | ||
1.一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺,其特征在于:具体包括如下步骤:
步骤S1:将泡沫镍裁剪成圆片,用丙酮超声清洗后,用去离子水洗涤,烘干并浸泡在硝酸溶液中,浸泡处理,再用去离子水洗涤至洗涤液为中性,制得预处理镍片;
步骤S2:将电极材料、聚四氟乙烯水乳液和乙醇混合均匀,得到附着液,将附着液涂覆在预处理镍片上,真空干燥,再压片处理制得金属石墨烯多元复合电极;
所述的电极材料由如下步骤制成:
步骤A1:将氧化石墨烯、氧化亚硅、十二烷基苯磺酸钠和去离子水混合均匀,加入三聚氰胺泡沫,超声处理后,用去离子水洗涤,洗涤完毕后烘干,焙烧处理后,在硝酸溶液中浸泡,用去离子水洗涤,至洗涤液呈中性,干燥制得多孔载体;
步骤A2:将多孔载体和改性填料分散在去离子水中,超声处理后,加入四水合醋酸锰、四水合醋酸钴、氟化铵和尿素,搅拌反应,加入硫脲,继续反应后,过滤去除滤液,制得电极材料;
所述的改性填料由如下步骤制成:
步骤B1:将吡咯溶于四氢呋喃,加入金属钾,回流反应后,加入对甲苯磺酰氯,进行反应,制得中间体1,将三氯化铝加入二氯甲烷中,搅拌并加入丙烯酰氯和中间体1,进行反应,制得中间体2,
步骤B2:将中间体2、二氧六环和氢氧化钠溶液混合回流反应,制得中间体3,将3-巯丙基三乙氧基硅烷、甲醇和浓盐酸混合搅拌回流后,降至室温,加入四氢呋喃中,过滤去除滤液,制得笼型聚倍半硅氧烷;
步骤B3:将笼型聚倍半硅氧烷、中间体3、安息香二甲醚和四氢呋喃混合,进行反应,制得改性单体,将改性单体、吡咯、四水合钼酸铵、硫脲、乙醇和去离子水混合反应后,降温加入过硫酸铵,继续反应,制得改性填料。
2.根据权利要求1所述的一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺,其特征在于:步骤A1所述的氧化石墨烯、氧化亚硅、十二烷基苯磺酸钠和去离子水的用量比为1.5g:0.3g:10g:500mL,三聚氰胺泡沫的体积4×2×0.5cm3。
3.根据权利要求1所述的一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺,其特征在于:步骤A2所述的多孔载体、改性填料、四水合醋酸锰、四水合醋酸钴、氟化铵、尿素和硫脲的用量比为70mg:50mg:0.12mmol:0.24mmol:0.6mmol:0.72mmol:1.92mmol。
4.根据权利要求1所述的一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺,其特征在于:步骤B1所述的吡咯、金属钾和对甲苯磺酰氯的摩尔比1:1.1:1.2,三氯化铝、丙烯酰氯和中间体1的摩尔比3:1.2:1。
5.根据权利要求1所述的一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺,其特征在于:步骤B2所述的中间体2和氢氧化钠溶液的用量比为0.01mol:24mL,氢氧化钠溶液的质量分数为20%,3-巯丙基三乙氧基硅烷、甲醇和浓盐酸的体积比为1:24:2,浓盐酸质量分数为36%。
6.根据权利要求1所述的一种金属石墨烯多元复合电极的生产工艺,其特征在于:步骤B3所述的笼型聚倍半硅氧烷上的巯基与中间体3的摩尔比为1:1,安息香二甲醚的用量为笼型聚倍半硅氧烷和中间体3质量和的2-3%,改性单体、吡咯、四水合钼酸铵、硫脲、乙醇、去离子水和过硫酸铵的用量比为10mmol:5mmol:1g:1.836g:20mL:50mL:15mmol。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山美淼新材料科技有限公司,未经昆山美淼新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310045203.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:瓣叶修复装置和瓣叶修复系统
- 下一篇:光学镜片材料研磨组件及具有其的研磨设备