[发明专利]一种陶瓷砖底釉、陶瓷砖及其制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述陶瓷砖底釉的原料包括以下组分：

高岭土6～12份、钾长石和/或钠长石30～60份、偏钛酸5～15份、低温熔块5～20份、硅灰石15～30份。

2.根据权利要求1所述的陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述低温熔块的化学成分包括：

SiO₂ 55～65份、Al₂O₃ 6～12份、Fe₂O₃ 0～0.3份、CaO 10～15份、MgO 0.5～3份、K₂O 3～6份、Na₂O 5～8份、ZnO 4～7份、B₂O₃ 0～2份、BaO 0～1份。

3.根据权利要求2所述的陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述低温熔块的化学成分包括：

SiO₂ 55～65份、Al₂O₃ 6～12份、Fe₂O₃ 0.1～0.3份、CaO 10～15份、MgO 0.5～3份、K₂O3～6份、Na₂O 5～8份、ZnO 4～7份、B₂O₃ 0.1～2份、BaO 0.5～1份。

4.根据权利要求1-3任一项所述的陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述陶瓷砖底釉的原料还包括：石英0～25份。

5.一种陶瓷砖，包括依次层叠设置的陶瓷坯体、底釉层、喷墨装饰层以及面釉层，其特征在于，所述底釉层由权利要求1-4任一项所述的陶瓷砖底釉制备得到。

6.根据权利要求5所述的陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖还包括：

保护釉层，设置在所述底釉层与喷墨装饰层之间；

所述保护釉层由包括以下质量份组分的原料制备得到：

高岭土8～12份、钾长石10～25份、钠长石10～25份、硅酸锆8～20份、氧化铝0～10份、烧滑石0～10份、石英0～15份、熔块15～30份。

7.根据权利要求6所述的陶瓷砖，其特征在于，所述保护釉层由包括以下质量份组分的原料制备得到：

高岭土8～12份、钾长石10～25份、钠长石10～25份、硅酸锆8～20份、氧化铝7～10份、烧滑石8～10份、石英10～15份、熔块15～30份。

8.根据权利要求6或7所述的陶瓷砖，其特征在于，按质量份计，所述熔块的化学成分包括：

SiO₂ 55～65份、Al₂O₃ 6～12份、ZrO₂ 4～8份、Fe₂O₃ 0～0.3份、CaO 5～10份、MgO 4～8份、K₂O 4～8份、Na₂O 0.5～3份。

9.一种如权利要求5所述的陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供陶瓷坯体；

在所述陶瓷坯体上施加权利要求1-4任一项所述的陶瓷砖底釉，然后进行喷墨装饰、施加面釉；

在1150～1250℃的温度下进行烧成，得到包括陶瓷坯体、底釉层、喷墨装饰层、面釉层依次层叠设置的陶瓷砖。

10.根据权利要求9所述的陶瓷砖的制备方法，其特征在于，在施加陶瓷砖底釉之后，进行喷墨装饰之前，还包括施加保护釉的步骤，其中，所述保护釉的原料包括以下质量份的组分：

高岭土8～12份、钾长石10～25份、钠长石10～25份、硅酸锆8～20份、氧化铝0～10份、烧滑石0～10份、石英0～15份、熔块15～30份。