[发明专利]基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，将均匀沉积的氧化铟锡ITO玻璃作为电池阳极，在ITO上沉积一层PEDOT:PSS薄膜，作为空穴传输层，在所述空穴传输层上旋涂1-羧甲基3-甲基咪唑氯盐溶液作为埋底界面修饰层，在所述埋底界面修饰层上沉积一层钙钛矿作为光吸收层，在所述光吸收层上沉积一层[6, 6]-苯基-C₆₁-丁酸甲酯作为电子传输层，在所述电子传输层上沉积一层浴铜灵作为缓冲层，在所述缓冲层上通过真空蒸镀一层银膜作为电池的阴极；所述光吸收层为甲脒锡碘溴钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂法制备所述空穴传输层，将PEDOT:PSS滴加到预处理的ITO上，以每分钟4000-6000转的转速旋涂30秒，然后100-160℃退火15-30分钟，制得所述空穴传输层。

3.根据权利要求1所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂法制备所述埋底界面修饰层，将浓度为1.0-8.0mg/mL的1-羧甲基3-甲基咪唑氯盐的甲醇溶液滴加到所述空穴传输层上，以每分钟4000-6000转旋涂30秒，之后70-90℃退火10-20分钟，制得所述埋底界面修饰层。

4.根据权利要求1所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂法制备所述光吸收层，将0.8-1 mol/L的钙钛矿前驱体溶液滴加到所述埋底界面修饰层上，以每分钟1000转的转速旋涂10秒后，再以每分钟4000-6000转的转速旋涂30秒，600µL甲苯作为反溶剂在第二阶段22秒时滴加，随后70-90℃退火10-20分钟，制得钙钛矿光吸收层。

5.根据权利要求4所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，将0.68 mmol 甲脒氢碘酸盐，0.12 mmol 苯乙胺氢溴酸盐，0.8 mmol 碘化亚锡，0.08 mmol 氟化亚锡以及0.04 mmol 乙胺氢溴酸盐溶于体积比为4：1的二甲基亚砜与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂中，混合均匀制得所述钙钛矿前驱体溶液。

6.根据权利要求1所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂法制备所述电子传输层，将10-20 mg/mL [6,6]-苯基-C₆₁-丁酸甲酯的氯苯溶液滴加到所述光吸收层上，以每分钟1000-2000转旋涂30秒，之后70-90℃退火10-20分钟，制得所述电子传输层。

7.根据权利要求1所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，旋涂法制备所述缓冲层，将0.1-0.5 mg/mL浴铜灵的异丙醇溶液滴加到所述电子传输层上，以每分钟4000-6000转的转速旋涂30秒，之后70-90℃退火10-20分钟，制得所述缓冲层。

8.根据权利要求1所述的一种基于埋底界面修饰的锡基钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，真空蒸镀制备金属电极，在所述缓冲层上真空蒸镀100 nm金属Ag，制得金属电极。