[发明专利]一种基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃及其制备方法在审
申请号: | 202310056834.3 | 申请日: | 2023-01-18 |
公开(公告)号: | CN116093185A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 严克友;王佳绒;元利刚;陈志龙;邹时兵;吴丽琴 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18;H10K30/88;H10K30/50;H10K30/82;H10K71/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 钙钛矿 材料 发光 特种玻璃 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,所述光伏发光玻璃使用钙钛矿材料作为吸收层和发射层,整体纵向结构单元从下到上依次为:透明导电玻璃电极、缓冲层1、钙钛矿层、缓冲层2、透明电极、图案化辅助电极、玻璃保护层;横向结构为重复单元和辅助栅格电路。
2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,所述透明导电玻璃电极为ITO或FTO透明导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,缓冲层1的材料选自SnO2、ZnO或TiO2;所述缓冲层1的厚度为20-80nm。
4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,所述钙钛矿层的组分为ABX3,其中A为MA、FA、Cs中的一种或两种以上,B为Pb和Sn的一种或两种,X为I和Br的一种或两种;所述钙钛矿层的厚度为100-1000nm。
5.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,缓冲层2的材料选自NiOx、spiro-OMeTAD或PTAA;所述缓冲层2的厚度为20-120nm。
6.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,所述透明电极为银纳米线、ITO或超薄透光金属电极;所述透明电极的厚度为50-150nm。
7.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃,其特征在于,通过激光划线工艺加工P1、P2、P3以实现串联模组的制备,得到图案化辅助电极;所述图案化辅助电极的厚度为200-800nm。
8.权利要求1-7任一项所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)P1划线
在透明导电玻璃基底上使用激光划线加工P1,P1线宽80-200μm;
(2)透明导电玻璃的清洗
导电玻璃超声清洗,用氮气或者压缩空气将导电玻璃吹干,然后采用紫外光表面清洗处理去除有机物和增加成膜性;
(3)缓冲层1的制备
配置缓冲层1材料的前驱体溶液,将其通过化学浴沉积、旋涂、刮涂或喷涂沉积于透明导电玻璃电极上,热退火处理;或者通过ALD制备相应缓冲层1;
(4)钙钛矿层的制备
通过旋涂或刮涂的方式获得钙钛矿前驱体薄膜,之后将薄膜进行热退火处理;
(5)缓冲层2的制备
配置缓冲层2材料的前驱体溶液,通过旋涂、刮涂工艺制备相应缓冲层2;或者通过ALD制备相应缓冲层2;
(6)P2划线
在透明缓冲层2基底上使用激光划线加工P2,要求钙钛矿层清理干净,P2线宽100-400μm,其与P1间距为100-200μm;
(7)透明电极的制备
通过ALD将ITO沉积到缓冲层2的基底上制备透明电极,或者通过旋涂工艺制备银纳米线透明电极,或者通过蒸镀金属得到透明电极;
(8)P3划线
在透明电极基底上使用激光划线加工P3,要求上层透明电极清理干净,P3线宽为80-200μm,其与P2间距为100-200μm;
(9)图案化辅助电极的制备
图案化电极为辅助性栅格化电极Ag,Au,Cu,Al中的一种,通过掩膜版蒸镀或者丝网印刷形成电路连接,收集及注入电荷,但不影响大面积透光;
(10)玻璃保护层的制备
采用UV胶和硅树脂通过光聚合和触发聚合的方式,辅助玻璃封装,形成整体器件。
9.根据权利要求8所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,配置钙钛矿前驱体溶液,浓度为1-1.6mol/mL,溶解后,将钙钛矿前驱体溶液在2000-5000rpm的条件下旋涂于透明缓冲层1上;或者通过刮涂的方式获得钙钛矿前驱体薄膜。
10.根据权利要求8所述的基于钙钛矿材料的光伏发光特种玻璃的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,获得钙钛矿前驱体薄膜之后,将旋涂好的钙钛矿薄膜放在100-150℃的加热台上热处理1-30min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的