[发明专利]一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法在审

专利信息
申请号: 202310057800.6 申请日: 2023-01-13
公开(公告)号: CN116086913A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 屈哲;许锡童;刘永来 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N1/32;G01N35/00;H01J37/305
代理公司: 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 代理人: 叶洋军
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 fib 样品 转移 衬底 进行 输运 测量 方法
【权利要求书】:

1.一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法,其特征在于,包括以下步骤:

蚀刻步骤:将待蚀刻的单晶样品抛光打磨至光滑平整面,打磨后的单晶样品通过碳胶黏贴在FIB双束系统的载物台上,按照沉积保护层、上下挖槽、粗削、切U型槽、精修、削非晶的顺序,得到目标样品薄片S;

取样步骤:取下FIB双束系统的载物台上的单晶样品,将该样品通过碳胶黏贴于三轴取样载物台上,并在单晶样品表面覆盖一层PDMS凝胶,之后下探针,挤压薄片样品S使其侧边的连接处自然断裂,且自然吸附在PDMS凝胶上;

转移步骤:当单晶样品表面被捕获到样品薄片后,揭下PDMS凝胶,粘贴至载玻片上,并将载玻片连同金属夹片固定到转移台上方夹片安放处,在薄片转移装置上将薄片样品S转移至电极衬底上,且静置后取走金属夹片;

沉积步骤:将准备好的电极衬底放入FIB真空腔室内,利用聚焦离子束在薄片样品与电极接触的地方沉积设定金属,然后利用FIB将薄片样品刻蚀成所需的图案进行测试。

2.根据权利要求1所述的介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法,其特征在于,在蚀刻步骤中,样品薄片S以竖立姿态位于单晶样品的挖槽中,且样品薄片S仅通过侧边的连接处与单晶样品连接,其他位置断开。

3.根据权利要求1所述的介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法,其特征在于,在取样步骤中,通过调节三轴载物台的方向,使显微镜聚焦到薄片样品的表面,探针针尖直径选择在1-2微米尺度,通过探针载物台的三轴调节探针针尖位置,使针尖对准薄片样品S上下方任一凹槽中央处,通过调整探针的高度,使探针下压,挤压薄片样品S使其侧边的连接处自然断裂,且该薄片样品S自然吸附在PDMS凝胶上。

4.根据权利要求1所述的介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法,其特征在于,在转移步骤中,先通过显微物镜在PDMS凝胶上找到薄片样品S,标定好该样品在凝胶上的长轴方向,再将显微镜聚焦面聚焦到下方载物台上的衬底上,按照之前标定好的样品长轴方向找准与电极衬底中的电极位置,随后落下金属夹具,使薄片样品S与电极衬底接触,静置预定时间后,提起金属夹具。

5.根据权利要求1所述的介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法,其特征在于,在沉积步骤中,记录下最终样品的长、宽、厚度的参数,以便后续的数据处理。

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