[发明专利]一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

先将基底预热，而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层，对所述涂层进行加热退火处理，制得电子传输层；

其中，通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得所述电子传输层前驱液，所述电子传输材料为n型半导体氧化物。

2.根据权利要求1所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，将基底预热至温度为50～110℃。

3.根据权利要求1所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，采用近红外辐射所述基底以进行预热处理；

所述基底的材质为具有近红外高吸收率的材料。

4.根据权利要求1所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，通过刮涂方法将所述电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上。

5.根据权利要求1所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，所述电子传输材料包括ZnO、SnO₂、TiO₂、ZnTiO₃、WO₃、Zn₂SnO₄中的一种或多种组合；所述溶剂为水。

6.根据权利要求5所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，将电子传输材料均匀分散于溶剂中制得电子传输材料分散液，而后在所述电子传输材料分散液中掺杂表面活性剂，制得所述电子传输层前驱液；

所述表面活性剂包括KCl、柠檬酸、六氟磷酸钾中的一种或多种组合。

7.根据权利要求1所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法，其特征在于，所述电子传输材料为纳米颗粒状。

8.一种电子传输层，其特征在于，采用如权利要求1～7任一项所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法制备而成。

9.一种钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100、在基底上制备电子传输层；

S200、在电子传输层上形成钙钛矿吸光层；

S300、在钙钛矿吸光层上形成空穴传输层；

S400、在空穴传输层上形成电极，制得所述钙钛矿光电器件；

其中，所述S100采用如权利要求1～7任一项所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法。

10.一种钙钛矿光电器件，其包括依次设置的基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及电极；其特征在于：

其中，所述钙钛矿光电器件采用如权利要求9所述的钙钛矿光电器件的制备方法制得；或，所述电子传输层采用如权利要求1～7任一项所述的近红外预热处理基底制备电子传输层的方法制得。