[发明专利]一种运算放大器的输入级电路及输入级差分对电路在审

专利信息
申请号: 202310064271.2 申请日: 2023-02-01
公开(公告)号: CN116155211A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 唐毓尚;代松;胡锐;李政;包磊;陈旺云;彭俊 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体股份有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/45
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 黄妍
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 运算放大器 输入 电路 级差
【说明书】:

发明提供了一种运算放大器的输入级电路及输入级差分对电路,所述输入级电路包括:目标NPN管、基极电流采集管、第一镜像电流源、第二镜像电流源和第一电流源;本发明中通过第一镜像电流源为目标NPN管基极电流提供补偿,使第一镜像电流源、目标NPN管、基极电流采集管三者之间形成回路,不需要外部信号输入端为目标NPN管提供基极电流,从而极大降低了输入偏置电流;通过第二镜像电流源为基极电流采集管的发射极电流提供补偿,来达到增大基极电流采集管的集电极电流的目的,从而使基极电流采集管的基极电流与目标NPN管的基极电流保持一致,提高了基极电流同步采集的精度,达到降低输入级电路中偏置误差的目的。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种运算放大器的输入级电路及输入级差分对电路。

背景技术

在电子信息系统中存在各种微弱的模拟信号,如音频信号、光电流信号、传感器信号等,这些微弱信号的放大对运算放大器的输入偏置电流要求较高。

虽然CMOS型运算放大器与JFET输入运算放大器能实现皮安级的极低输入偏置电流或失调电流,但是CMOS型运算放大器输入失调电压、噪声、速度等性能均较差,JFET输入型运算放大器高温工作状态下偏置电流参数漂移较大。

可见,现有技术中运算放大器存在输入偏置电流较大的问题。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足,本发明提供了一种运算放大器的输入级电路及输入级差分对电路,其解决了现有技术中运算放大器存在输入偏置电流较大的问题。

第一方面,本发明提供一种运算放大器的输入级电路,所述输入级电路包括:目标NPN管、基极电流采集管、第一镜像电流源、第二镜像电流源和第一电流源;所述目标NPN管的基极与外部信号输入端相连,所述目标NPN管的发射极与所述第一电流源的输出端相连,所述目标NPN管的集电极与所述基极电流采集管的发射极相连,所述基极电流采集管的集电极为输入级电路的输出端;第一镜像电流源的第一端与所述目标NPN管的基极相连,所述第一镜像电流源的第二端与所述第二镜像电流源的第一端相连,所述第一镜像电流源的第三端与所述基极电流采集管的基极相连;所述第二镜像电流的第二端与负电源相连,所述第二镜像电流源的第三端与所述目标NPN管的集电极相连。

可选地,所述第一镜像电流源包括:第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管和第五PNP管;所述第一PNP管的基极分别与所述第四PNP管的基极、所述第五PNP管的基极和所述第一NPN管的集电极相连,所述第一PNP管的集电极与所述基极电流采集管的基极相连,所述第一PNP管的发射极与所述第二PNP管的集电极相连;所述第二PNP管的发射极和所述第三PNP管的发射极分别与偏置电压输出端相连,所述第二PNP管的基极分别与所述第三PNP管的基极和所述第三PNP管的集电极相连;所述第三PNP管的集电极分别与所述第四PNP管的发射极和所述第五PNP管的发射极相连,所述第四PNP管的集电极与所述目标NPN管的基极相连,所述第五PNP管的集电极与所述第二镜像电流源的第一端相连。

可选地,所述第二镜像电流源包括:第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管和第四NPN管;所述第一NPN管的集电极、第一NPN管的基极和第二NPN管的基极分别与所述第一镜像电流源的第二端相连,所述第一NPN管的发射极与所述第三NPN管的集电极相连,所述第二NPN管的集电极与所述目标NPN管集电极相连;所述第三NPN管的基极、所述第四NPN管的基极和所述第四NPN管的集电极分别与所述第二NPN管的发射极相连,所述第三NPN管的发射极和所述第四NPN管的发射极分别与负电源相连。

可选地,所述输入级电路包括VCE控制电路,所述VCE控制电路的输入端与目标NPN管的发射极相连,所述VCE控制电路的第一输出端与所述第一镜像电流源的第四端相连,所述VCE控制电路的第二输出端与所述基极电流采集管的集电极相连,用于控制所述目标NPN管的VCE电压与所述基极电流采集管的VCE电压相等。

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