[发明专利]一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板，其特征在于，包括：

玻璃衬底；

第一金属层，镀在所述玻璃衬底的上表面，形成栅极；

第一栅绝缘层，镀在所述玻璃衬底与所述第一金属层的上表面；

第二金属层，镀在所述第一栅绝缘层的上表面，形成间隔分布的第一CK信号走线、第三CK信号走线与TP走线，所述第一CK信号走线、第三CK信号走线位于所述栅极的左方，所述TP走线位于所述栅极的右方，所述第一CK信号走线的电位高低与所述第三CK信号走线的电位高低相反；

第二栅绝缘层，镀在所述第二金属层与第一栅绝缘层的上表面，所述第二栅绝缘层开设有第一挖孔与第二挖孔，所述第一挖孔穿透所述第一栅绝缘层，所述栅极露出于所述第一挖孔，所述第一CK信号走线露出于所述第二挖孔；

有源层，镀在所述第二栅绝缘层的上表面，还位于所述栅极的正上方；

第三金属层，镀在所述第二栅绝缘层的上表面，形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线，所述源极与所述有源层的左端连接，所述漏极与所述有源层的右端连接，所述第一信号连接线的右端穿过所述第一挖孔与所述栅极连接，所述第一信号连接线的左端穿过所述第二挖孔与所述第一CK信号走线连接；

钝化层，镀在所述第二栅绝缘层、有源层、第三金属层的上表面，所述钝化层开设有第三挖孔与第四挖孔，所述第三挖孔与第四挖孔都穿透所述第二栅绝缘层，所述第三CK信号走线露出于所述第三挖孔，所述TP走线露出于所述第四挖孔；

导电层，镀在所述钝化层的上表面，还位于所述漏极的正上方，所述钝化层的上表面还镀有第二信号连接线，所述导电层与所述第二信号连接线的右端连接，所述第二信号连接线的左端穿过所述第三挖孔与所述第三CK信号走线连接；

公共电极，镀在所述钝化层的上表面，还与所述导电层间隔设置，所述公共电极的引线穿过所述第四挖孔与所述TP走线连接；

外绝缘层，镀在所述钝化层、导电层、公共电极的上表面，所述外绝缘层开设有第五挖孔，所述第五挖孔穿透所述钝化层，所述漏极露出于所述第五挖孔；

画素电极，镀在所述外绝缘层，所述画素电极的引线穿过所述第五挖孔与所述漏极连接。

2.根据权利要求1所述的一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板，其特征在于，所述TP走线的上表面与所述第三CK信号走线的上表面是相同高度，所述TP走线的上表面低于所述漏极的上表面。

3.根据权利要求2所述的一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层都是MO/AL/MO三层结构或者Ti/AL/Ti三层结构。

4.根据权利要求2所述的一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层是SiOx单层结构或者SiNx/SiOx双层结构，所述钝化层是SiO₂材质，所述外绝缘层是SiOx或者SiNO或者SiNx材质。

5.根据权利要求2所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，所述有源层是IGZO材质，所述导电层、画素电极与公共电极都是ITO材质。

6.根据权利要求1所述的一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还形成了间隔分布的第二CK信号走线与第四CK信号走线，所述第二CK信号走线的电位高低与所述第四CK信号走线的电位高低相反；

所述第一CK信号走线是与第一行的阵列基板的栅极连接，所述第二CK信号走线是与第二行的阵列基板的栅极连接，所述第三CK信号走线是与第一行的阵列基板的导电层连接，所述第四CK信号走线是与第二行的阵列基板的导电层连接。

7.根据权利要求1所述的一种减小Feedthrough电压的高开口率阵列基板，其特征在于，所述第一CK信号走线的信号时序相位比所述第二CK信号走线的信号时序相位提早四分之一周期，所述第三CK信号走线的信号时序相位比所述第四CK信号走线的信号时序相位提早四分之一周期。