[发明专利]一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310064761.2 申请日: 2023-01-12
公开(公告)号: CN116322074A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 吴炳辉;侯耀林;黄晓锋;尹君;李静;郑南峰 申请(专利权)人: 厦门大学;嘉庚创新实验室;厦门大学九江研究院
主分类号: H10K30/15 分类号: H10K30/15;H10K71/12;H10K71/15
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 李强
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 物质 修饰 电子 传输 钙钛矿 光电 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件,其特征在于:其包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极;

所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。

2.根据权利要求1所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件,其特征在于:所述电子传输材料包括SnO2、TiO2、ZnO-ZnS、ZnTiO3、Zn2SnO4中的一种或多种组合;

和/或,所述空穴传输层材质为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、氧化镍、镍酞菁的一种或多种组合。

3.一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,包括电子传输层制备步骤;

所述电子传输层制备步骤为:制备掺有含磷物质的电子传输材料分散液;将所述掺有含磷物质的电子传输材料分散液通过涂布方式涂布在导电衬底上,制得体相掺杂有磷元素的所述电子传输层。

4.根据权利要求3所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输材料包括SnO2、TiO2、ZnO-ZnS、ZnTiO3、Zn2SnO4中的一种或多种组合;

所述电子传输材料为纳米颗粒状,将电子传输材料均匀分散于溶剂中,制得电子传输材料纳米颗粒分散液,而后将含磷物质加入所述电子传输材料纳米颗粒分散液中混匀,制得掺有含磷物质的电子传输材料分散液。

5.根据权利要求3所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,将所述掺有含磷物质的电子传输材料分散液,通过涂布方式涂布在导电衬底上;而后进行退火处理,制得所述体相掺杂有磷元素的所述电子传输层;

其中,所述退火处理温度为(100~200)℃,退火时间为(5~100)min。

6.根据权利要求3所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,所述掺有含磷物质的电子传输材料分散液中,所述含磷物质的浓度为0.1~10mg/mL。

7.根据权利要求3~6任一项所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,所述含磷物质包括磷酸盐、六氟磷酸盐、次磷酸盐中的一种或多种组合。

8.根据权利要求3~6任一项所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,所述涂布方式选自旋涂、刮涂、提拉、喷涂、印刷中的一种。

9.根据权利要求3所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S100、电子传输层制备步骤:在导电衬底上形成体相掺杂有磷元素的所述电子传输层;

S200、在电子传输层上形成钙钛矿吸光层;

S300、在钙钛矿吸光层上形成空穴传输层;

S400、在空穴传输层上形成背电极,制得所述钙钛矿光电器件。

10.根据权利要求9所述的含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件的制备方法,其特征在于,所述空穴传输层材质为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、氧化镍、镍酞菁的一种或多种组合。

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