[发明专利]一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法

权利要求书

1.一种马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述调制器包括硅基底层(10)，所述硅基底层(10)上覆设有第一二氧化硅层(20)，所述第一二氧化硅层(20)中嵌设有第一共面波导电极(40)，所述第一二氧化硅层(20)上覆设有波导层(30)，所述第一共面波导电极(40)和所述波导层(30)接触连接；所述波导层(30)背离所述第一二氧化硅层(20)的表面设有第二共面波导电极(50)，所述波导层(30)和所述第二共面波导电极(50)二者形成的空隙中涂覆有第二二氧化硅层(60)；

其中，所述第一共面波导电极(40)和所述第二共面波导电极(50)供于施加同频同相的电压信号。

2.如权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述第一共面波导电极(40)的厚度小于所述第一二氧化硅层(20)的厚度；

且，所述第一共面波导电极(40)朝向所述波导层(30)的表面和所述第一二氧化硅层(20)朝向所述波导层(30)的表面平齐设置。

3.如权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述第二共面波导电极(50)包括设于所述波导层(30)的表面中心的中心带，以及对称且间隔设于所述中心带两侧的两个接地带，分别为第一接地带和第二接地带；

其中，位于所述中心带和所述第一接地带之间的所述波导层(30)的表面上及位于所述中心带和所述第二接地带之间的所述波导层(30)的表面上均涂覆有所述第二二氧化硅层(60)。

4.如权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述第一共面波导电极(40)包括嵌设于所述第一二氧化硅层(20)的中间位置的中心带，以及对称且间隔嵌设于所述中心带两侧的两个接地带；所述第二共面波导电极(50)包括设于所述波导层(30)的表面中心的中心带，以及对称且间隔设于所述中心带两侧的两个接地带；

且，所述第一共面波导电极(40)的中心带和所述第二共面波导电极(50)的中心带关于所述波导层(30)对称设置；所述第一共面波导电极(40)的两个接地带和所述第二共面波导电极(50)的两个接地带关于所述波导层(30)分别对称设置。

5.如权利要求3所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

位于所述中心带和所述第一接地带之间的所述波导层(30)的表面的中间部分朝向背离所述波导层(30)的方向凸起，位于所述中心带和所述第一接地带之间的所述波导层(30)表面的第二二氧化硅层(60)的中间部分朝向背离所述波导层(30)的方向凸起。

6.如权利要求5所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

位于所述中心带和所述第二接地带之间的所述波导层(30)的表面的中间部分朝向背离所述波导层(30)的方向凸起，位于所述中心带和所述第二接地带之间的所述波导层(30)表面的第二二氧化硅层(60)的中间部分朝向背离所述波导层(30)的方向凸起。

7.如权利要求5或6所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述凸起的延伸方向平行于所述中心带和所述接地带之间的间隙的延伸方向。

8.如权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述波导层(30)为铌酸锂层。

9.如权利要求8所述的马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：

所述波导层(30)的结构为脊型波导。

10.一种适配于如权利要求1-9中任一项所述的马赫曾德尔电光调制器的调制方法，其特征在于，所述方法包括：

将驱动器和所述调制器的馈入端电性连接，以使所述驱动器的双差分输出同相端口分别电性连接于所述调制器的第一共面波导电极(40)和第二共面波导电极(50)；其中，所述驱动器具有集电极T1、T2、T3和T4，其中T1、T3为三极管集电极，T2、T4为双差分输出同相端口，供于向所述调制器施加同频同相的电压信号；

当所述驱动器向所述调制器输入的数据须为高电平“1”时，通过驱动器内部电路控制三极管集电极T1、T3导通开启，T2、T4集电极截止，则三极管集电极T1、T3输出为低电平“0”，T2、T4的集电极输出为高电平“1”；此时，T2、T4作为双差分输出同相端口分别向所述第一共面波导电极(40)和所述第二共面波导电极(50)施加同频同相的高电平“1”；

当所述驱动器向所述调制器输入的数据须为低电平“0”时，通过驱动器内部的电路控制三极管集电极T1、T3截止断开，T2、T4导通开启，则三极管集电极T1、T3输出为高电平“1”，T2、T4的集电极输出为低电平“0”；此时，T2、T4作为双差分输出同相端口分别向所述第一共面波导电极(40)和所述第二共面波导电极(50)施加同频同相的低电平“0”。