[发明专利]一种硼扩散炉管维护效果检测方法在审
申请号: | 202310074127.7 | 申请日: | 2023-02-01 |
公开(公告)号: | CN116013801A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 王通;张红妹;魏双双;李青娟;李倩;尚琪 | 申请(专利权)人: | 英利能源发展(保定)有限公司;英利能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人: | 赵宝琴 |
地址: | 072150 河北省保定市满城*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 炉管 维护 效果 检测 方法 | ||
1.一种硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,包括:
S1:选择原硅片,对所述原硅片进行双面抛光;
S2:对所述原硅片进行双面硼扩散,并测试扩后硅片的方阻;
S3:筛选出符合生产要求的合格扩后硅片,并去除合格的所述扩后硅片表面的硼硅玻璃;
S4:在所述扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜,用于钝化和保护硅片表面;
S5:烧结处理所述扩后硅片;
S6:对处理后的硅片进行Sinton测试,并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。
2.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S1中,对所述原硅片进行双面抛光之前,先使用碱液所述原硅片进行清洗,再对所述原硅片进行清水喷淋;所述碱液为氢氧化钾和过氧化氢的混合液,氢氧化钾的浓度为1-2%(w%),过氧化氢的浓度为5.5-6.5%(w%),反应温度为55-65℃,清洗时间为1.5-2.5分钟。
3.如权利要求2所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S1中,将所述原硅片置于碱性液体中进行双面抛光。
4.如权利要求3所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S1中,对所述原硅片进行双面抛光之后,先对双面抛光后的原硅片进行清水喷淋,再使用酸液进行酸洗,然后采用慢提拉清洗,最后进行烘干;所述酸液为盐酸和氢氟酸的混合液,盐酸的浓度为3-5%(w%),氢氟酸的浓度为3-5%(w%);所述慢提拉清洗在冷水中进行。
5.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S1中,对所述原硅片进行双面抛光后,将所述原硅片放置于氮气环境下。
6.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S2中,使用硼扩散炉对所述原硅片进行双面硼扩散,且分别在所述硼扩散炉的炉口、炉中及炉尾进行所述原硅片的双面硼扩散;在S6中,对处理后的硅片进行Sinton测试后,所记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压的数据为在所述硼扩散炉的炉口、炉中及炉尾测试数据的平均值。
7.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S3中,使用氢氟酸去除所述扩后硅片上的硼硅玻璃;氢氟酸的浓度为3-5%(w%),反应时间为6-10分钟。
8.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S4中,所述氮化硅膜的膜厚为60-70nm,折射率2.05-2.2。
9.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S5中,烧结处理所述扩后硅片后,收集硅片并使用隔纸隔开放置。
10.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法,其特征在于,在S6中,对硅片进行PL测试,并记录硅片的光致发光光谱数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造