[发明专利]砷化镓晶圆的划切方法

权利要求书

1.一种砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，包括以下步骤：

将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜；

标记贴有所述胶膜的所述砷化镓晶圆的晶体方向，并基于所述砷化镓晶圆的晶体方向确定CH1方向和CH2方向，其中所述砷化镓晶圆的晶体方向为CH1方向和CH2方向的直角平分线；

将贴有所述胶膜的所述砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上；

使划片机上的划片刀以第一划切参数对所述砷化镓晶圆进行CH1方向的划切，其中所述划片刀的划切深度与所述砷化镓晶圆的厚度相等；

使所述划片机上的划片刀以第二划切参数对所述砷化镓晶圆进行CH2方向的划切，其中所述划片刀的划切深度大于所述砷化镓晶圆的厚度，且小于所述砷化镓晶圆和所述胶膜的厚度之和；

获取划切后的砷化镓晶圆。

2.如权利要求1所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜的步骤之后，还包括：

将贴有所述胶膜的所述砷化镓晶圆放置于60℃-80℃烘箱中烘烤10min-40min。

3.如权利要求2所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述将贴有所述胶膜的所述砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上的步骤之前，还包括：

将烘烤后的贴有所述胶膜的所述砷化镓晶圆冷却至室温。

4.如权利要求1-3任一项所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述胶膜为蓝膜或者白膜。

5.如权利要求1所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，确定所述划片刀的划切深度与所述砷化镓晶圆的厚度相等的方法包括：

使划片机上的划片刀以第一划切参数对所述砷化镓晶圆进行CH1方向的划切并划切第一深度；

使划片机上的摄像头对划切处的所述胶膜进行拍摄，若拍摄的所述胶膜上有切割痕迹，则使所述划片机上的划片刀上移第一距离并继续划切所述砷化镓晶圆，重复执行该步骤，直至所述胶膜上的切割痕迹刚好消失，此时所述划片机上的划片刀的划切深度为第二深度，所述第二深度与所述砷化镓晶圆的厚度相等。

6.如权利要求1所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，确定所述划片刀的划切深度与所述砷化镓晶圆的厚度相等的方法包括：

使所述划片机上的划片刀以第一划切参数对所述砷化镓晶圆进行CH1方向的划切并划切第三深度；

使划片机上的摄像头对划切处的所述胶膜进行拍摄，若拍摄的所述胶膜上无切割痕迹，则使所述划片机上的划片刀下移第二距离并继续划切所述砷化镓晶圆，重复执行该步骤，直至所述胶膜上的切割痕迹刚好出现，此时将所述划片机上的划片刀上移第三距离且以上移后的划切深度作为第四深度，所述第四深度与所述砷化镓晶圆的厚度相等。

7.如权利要求5或6所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述第一划切参数为所述划片机上的划片刀的转速为30000r/min-40000r/min，进刀速度20mm/s-40mm/s。

8.如权利要求1所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述第二划切参数为所述划片机上的划片刀的转速为30000r/min-40000r/min，进刀速度45mm/s-55mm/s。

9.如权利要求1所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述砷化镓晶圆进行CH1方向的划切和对所述砷化镓晶圆进行CH2方向的划切的过程中，使用冷却水对所述划片机上的划片刀和所述砷化镓晶圆进行冲洗。

10.如权利要求1所述的砷化镓晶圆的划切方法，其特征在于，所述获取划切后的砷化镓晶圆的方法包括：

使用清理工具清理所述砷化镓晶圆的对应CH1方向的划切位置。