[发明专利]一种减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法

权利要求书

1.一种减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，在硅片碱制绒工序之前，对硅片花篮进行如下饱和工艺处理：碱洗、一次水洗、酸洗、二次水洗、慢提拉和烘干，其中，在所述碱洗步骤中，加入碱制绒工序中所用第一添加剂；

或者在硅片背面抛光工序之前，对硅片花篮进行如下饱和工艺处理：碱洗、一次水洗、酸洗、二次水洗、慢提拉和烘干，其中，在所述碱洗步骤中，加入抛光工序中所用第二添加剂。

2.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，在硅片碱制绒工序之前，以及在硅片背面抛光工序之前，对硅片花篮均进行所述饱和工艺处理。

3.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，碱洗步骤中，碱洗温度为40～60℃，碱洗时间为5～7min，碱洗溶液为0.38～0.5mol/L的氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液或者两者的混合溶液，其中第一添加剂或第二添加剂的质量浓度为0.5～1.0％。

4.如权利要求3所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，所述第一添加剂为包括成核剂、绒面催化剂、表面活性剂和脱泡剂的水溶液；

所述第二添加剂为包括明胶、丙烯酰胺、季铵盐、对氨基水杨酸钠、硫氰酸铵、烷基糖苷和苯甲酸钠的水溶液。

5.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，一次水洗或二次水洗步骤中，水洗温度为20～35℃，水洗时间为1～3min。

6.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，酸洗步骤中，酸洗溶液为盐酸和氢氟酸的水溶液，酸洗温度为20～35℃，酸洗时间为1～2min；其中，所述盐酸、氢氟酸与水的体积比为1:1:20～40，所述盐酸的质量浓度为20～37％，所述氢氟酸的质量浓度为40～49％。

7.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，慢提拉步骤中，慢提拉温度为50～70℃，慢提拉时间为2～4min。

8.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，烘干步骤中，烘干温度为60～90℃，烘干时间为6～12min。

9.如权利要求1所述的减少TOPCon电池卡痕、卡点问题的方法，其特征在于，所述硅片花篮的材质为PVDF、PP、PE、PVC、PTFE或PEEK。