[发明专利]一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法

权利要求书

1.一种氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，其特征在于，包括：

将待测试的HEMT制备为fat-FET结构的HEMT，其中，所述待测试的HEMT为氮化镓基双异质结HEMT，所述fat-FET结构的HEMT为fat-FET结构的氮化镓基双异质结HEMT；

当所述fat-FET结构的HEMT工作在线性区时进行沟道电导测试；

对所述fat-FET结构的HEMT进行CV特性曲线测试，得到第一电容-电压变化曲线；

对所述第一电容-电压变化曲线进行加和处理；

根据预设公式分别得到上沟道和下沟道的场效应迁移率-栅压曲线图，其中，所述上沟道为所述fat-FET结构的HEMT中双异质结中靠近器件顶部的异质结所产生的二维电子气，所述下沟道为所述fat-FET结构的HEMT中双异质结中远离器件顶部的异质结所产生的二维电子气；

分别得到所述上沟道和所述下沟道的电子面密度-栅压曲线图；

分别得到所述上沟道和所述下沟道的场效应迁移率-电子面密度曲线图。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，其特征在于，所述将待测试的HEMT制备为fat-FET结构的HEMT，包括：

根据所述待测试的HEMT制备所述fat-FET结构的HEMT，所述fat-FET结构的HEMT除栅极长度外均与所述待测试的HEMT的结构相同，并且，所述fat-FET结构的HEMT的栅极长度大于所述待测试的HEMT。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，其特征在于，当所述fat-FET结构的HEMT工作在线性区时进行沟道电导测试，包括：

为所述fat-FET结构的HEMT的漏极添加预设的漏极偏置电压，源极接地，使得所述fat-FET结构的HEMT工作在线性区；

对所述fat-FET结构的HEMT进行转移特性曲线测试得到转移特性曲线，通过所述转移特性曲线对所述fat-FET结构的HEMT的栅极电压求导得到所述fat-FET结构的HEMT的跨导特性曲线，其中，所述跨导特性曲线的横坐标为所述栅极电压，所述跨导特性曲线的纵坐标为所述fat-FET结构的氮化镓基双异质结HEMT的跨导。

4.根据权利要求3所述的氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，其特征在于，所述第一电容-电压变化曲线为所述fat-FET结构的HEMT的CV特性曲线。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，其特征在于，对所述fat-FET结构的HEMT进行CV特性曲线测试，得到第一电容-电压变化曲线，包括：

将所述fat-FET结构的HEMT的漏极悬空，

对所述fat-FET结构的HEMT的栅极和源极进行两端CV测试，得到所述第一电容-电压变化曲线，其中，所述第一电容-电压变化曲线的横坐标为所述fat-FET结构的HEMT的栅极电压，所述第一电容-电压变化曲线的纵坐标为所述fat-FET结构的HEMT的电容。

6.根据权利要求5所述的氮化镓基双异质结HEMT场效应迁移率的表征方法，其特征在于，对所述第一电容-电压变化曲线进行加和处理，包括：

获取所述第一电容-电压变化曲线中紧邻第二台阶上升前的栅极电压对应的第一电容，其中，第一台阶为所述第一电容-电压变化曲线的双台阶现象中栅极电压为负时所对应的台阶曲线，所述第一台阶为所述下沟道的电容-电压曲线，所述第二台阶为所述双台阶现象中栅极电压为正时所对应的台阶曲线；

获取所述第二台阶曲线中的第二电容和所述第二电容所对应的栅极电压，所述第二电容减去所述第一电容得到第三电容，

根据多个所述第三电容和多个所述第二电容所对应的栅极电压得到第二电容-电压变化曲线，其中，所述第二电容-电压变化曲线为所述上沟道的CV特性曲线，所述第二电容-电压变化曲线的横坐标为所述第二电容所对应的栅极电压，所述第二电容-电压变化曲线的纵坐标为所述第三电容，所述第三电容与对应的所述第二电容所对应的栅极电压相对应。