[发明专利]一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法在审
| 申请号： | 202310081355.7 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116219530A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 郑国宗;胡子钰;张敏;李鹏飞;孙元龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/54 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 孙小万 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 载晶架 甲胺溴铅钙钛矿单晶 生长 方法 | ||
1.一种载晶架，其特征在于，包括第一挡板、第二挡板以及连接第一挡板和第二挡板的支撑板，其中，所述第一挡板和/或第二挡板上连接有用以连接驱动源的连接杆，所述连接杆使得驱动源带动所述载晶架作滚筒式旋转运动。
2.根据权利要求1所述的载晶架，其特征在于，所述第一挡板和第二挡板相向的一侧均开设有用以籽晶端部嵌入的孔道。
3.根据权利要求2所述的载晶架，其特征在于，所述第一挡板和/或第二挡板上设置有固定螺母用以锁紧籽晶端部。
4.根据权利要求1所述的载晶架，其特征在于，所述支撑板上设置有扰流面；
优选地，所述支撑板的截面设置为三角形，以使支撑板外侧面形成扰流面。
5.根据权利要求1所述的载晶架，其特征在于，所述第一挡板和/或第二挡板上连接有搅拌桨；
优选地，所述搅拌桨设置于第一挡板和/或第二挡板的外侧面。
6.一种甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，其特征在于，使用权利要求1-5中任一项所述的载晶架制备，包括以下步骤：
将籽晶固定在第一挡板和第二挡板之间；
将载晶架放置于装载有生长溶液的生长槽中；
开启驱动源带动载晶架作滚筒式旋转运动。
7.根据权利要求6所述的甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，其特征在于，所述生长溶液由甲基溴化铵和溴化铅溶解于N，N-二甲基甲酰胺中获得；
优选地，生长溶液的饱和点温度为25-35℃。
8.根据权利要求7所述的甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，其特征在于，
将载晶架放置于装载有生长溶液的生长槽中时，将生长槽温度调整为15-25℃，对晶体生长溶液进行过冷处理；
优选地，过冷处理时间为24-48h；
优选地，对晶体生长溶液进行过冷处理后，调整生长槽温度至饱和点温度之下2-5℃，对籽晶进行溶解，至籽晶微溶表面光滑时，升高生长槽温度至饱和点温度之上3-5℃。
9.根据权利要求6所述的甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，其特征在于，所述载晶架作滚筒式旋转运动时转速为30-60r/min。
10.根据权利要求6所述的甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，其特征在于，开启驱动源带动载晶架作滚筒式旋转运动时，以0.1-1℃/d的升温速率升高生长槽的温度。
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