[发明专利]一种基于In/Au电极的硒化铟忆阻器的制备方法

权利要求书

1.一种基于铟金电极的铟硒忆阻器的制备与应用方法，其特征在于，所述的方法是先利用机械剥离技术得到少层的h-BN和InSe；之后通过干法转移技术将h-BN薄膜转移至洁净的硅片上，然后将InSe转移到h-BN的正上方，得到InSe/hBN结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备InSe/hBN结构的方法，包括如下步骤：

(1)将硅基衬底依次在丙酮、乙醇、和去离子水中超声清洗，清洗后干燥得到洁净的硅片；

(2)利用机械剥离技术分别得到8-25nm厚度的h-BN和InSe；

(3)利用PDMS干法转移技术将步骤(2)中8-25nm厚度的h-BN转移至步骤(1)中洁净的硅基衬底表面，然后利用转移平台将InSe转移到h-BN的正上方。

(4)将铜网在光镜下用镊子小心的转移到目标样品的正上方，然后用银胶固定；

(5)将(4)中的样品放入蒸镀机中蒸镀电极；

(6)将(5)中的器件进行bonding，得到器件。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述的少层的h-BN和InSe的厚度分别为15nm和18nm；步骤(1)所述有的SiO₂层的厚度为300nm。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)的铜网尺寸为300目，沟道宽度35μm，在转移过程中将铜网先放在硅片上，然后用镊子慢慢移动铜网，直到在十倍镜下观察到铜网在目标材料的正上方。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)的蒸镀电极包括电子束蒸镀铟金属和热蒸镀制备的金金属；其中电子束蒸镀制备的铟金属时，蒸镀机真空条件需满足10^-3Pa以下，所用的镀率为0.20～0.25A/s，时间为7.5分钟，得到的电极材料厚度为10nm；热蒸镀制备的金金属时，蒸镀机真空条件需满足1×10^-4Pa以下，所用的镀率为0.25～0.30A/s，时间约为30分钟，得到的电极材料厚度为40nm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(5)所述的铟为10nm。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(5)所述的电子束蒸发的真空度小于10-3Pa，蒸镀速率0.20～0.25A/s，时间为7.5分钟，得到的电极材料厚度为10nm。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(5)所述的金属热蒸发的真空度小于1×10-4Pa，所用的镀率为0.25～0.30A/s，时间为30分钟，得到的Au电极材料厚度为40nm。

9.权利要求1～8任一项所述的方法制备得到的以In/Au为电极的InSe忆阻器。