[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法和无空穴传输层的p-i-n型钙钛矿器件

权利要求书

1.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，用于无空穴传输层的p-i-n型钙钛矿器件，所述钙钛矿薄膜由钙钛矿前驱体溶液在导电基底上沉积形成，所述钙钛矿前驱体溶液中添加有空穴传输材料。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液中添加的所述空穴传输材料选自MeO-2PACz、2PACz、Me-4PACz、Me-2PACz、Br-4PACz、Br-2PACz、PEDOT:PSS、PTAA、NiO_X、CuO_X、CuSCN、poly-TPD中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述导电基底选自金属氧化物基底、金属基底、非金属氧化物、含有–Si(OR)₃，–P(OR)₃，–COOR，–SO₃R，–COR，–SH，–OR基团的基底中的一种，R选自H、F、Cl、Br、I、K、Na中的一种。

4.根据权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，钙钛矿的阳离子选自BA⁺、PEA⁺、EDA²⁺、OD⁺、GUA⁺、CEA⁺、IMA⁺中的一种，阴离子选自I^-、Br^-、Cl-、F-、BF₄^-、PF₆^-、SCN-中的一种。

5.一种如权利要求1-4任一所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在钙钛矿前驱体溶液中加入空穴传输材料并混合均匀；

S2、在透明导电玻璃上沉积钙钛矿活性层。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

S21、将加入空穴传输材料的钙钛矿前驱体溶液滴在导电基底上，静置等待空穴传输材料吸附；

S22、随后旋涂，并滴加氯苯进行反萃取；

S23、进行加热退火处理。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S21中，静置时间为30～60s。

8.根据权利要求6所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S22中，旋涂转速为2500～5000rpm，旋转时间为20～60s，在旋涂过程结束前10～30s滴加氯苯。

9.根据权利要求6所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S23中，加热温度为90～120℃，退火时间为10～30min。

10.一种无空穴传输层的p-i-n型钙钛矿器件，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述的钙钛矿薄膜。