[发明专利]一种具有分布式梯度的巨量转移用晶膜在审

专利信息
申请号: 202310082967.8 申请日: 2023-01-19
公开(公告)号: CN116014038A 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 刘强;徐杰;王伟 申请(专利权)人: 北京海炬电子科技有限公司;北京石油化工学院
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/62;H01L21/683;B05D7/04;B05D1/38;B05D1/00;B05D7/24
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;赵镇勇
地址: 102627 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 分布式 梯度 巨量 转移 用晶膜
【权利要求书】:

1.一种具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,包括真空吸盘(1)、通孔基板(2)、第一粘结层(3)、弹性层(4)、第二粘结层(5)、激光器(6)、气动器(7)、芯片(8)、锡膏/导电胶(9)和接收基板(10),其特征在于:

所述真空吸盘(1)位于通孔基板(2)的上方,通孔基板(2)、第一粘结层(3)、弹性层(4)和第二粘结层(5)位于真空吸盘(1)的下方,从上至下依次为通孔基板(2)、第一粘结层(3)、弹性层(4)和第二粘结层(5),通孔基板(2)位于真空吸盘(1)的下方,并通过真空吸附力固定在真空吸盘(1)上,第一粘结层(3)粘附在通孔基板(2)的下表面,弹性层(4)通过第一粘结层(3)的粘性贴合在第一粘结层(3)的下表面,第二粘结层(5)位于弹性层(4)的下方,并通过自身粘性贴合在弹性层(4)的下表面,激光器(6)位于真空吸盘(1)的内侧和通孔基板(2)的上方,气动器(7)位于通孔基板(2)的上方和激光器(6)的右侧,芯片(8)阵列排布于第二粘结层(5)的下方,并通过第二粘结层(5)的粘性粘附在第二粘结层(5)的下表面,锡膏/导电胶(9)位于芯片(8)下方和接收基板(10)的上表面,接收基板(10)位于芯片(8)和锡膏/导电胶(9)的下方。

2.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的真空吸盘(1)接外部负压,其真空度为50kPa-120kPa。

3.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的通孔基板(2)为石英、硼硅、蓝宝石、氧化铝、氧化锆、碳化硅、碳化硼和碳化铝材质中的一种,其厚度为0.1mm-3mm。

4.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的通孔基板(2)具备定向垂直微孔,其直径为0.1μm-50μm。

5.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的第一粘结层(3)为具有受激光照射后粘性降低或消失能力的PI、UV胶和热减粘胶材料中的一种,其粘着力为0.5N/25mm-10N/25mm。

6.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的弹性层(4)为具有良好的可恢复形变能力的PDMS、TPE、TPEE、TPU、PU和TPR材料中的一种。

7.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的第二粘结层(5)为有机硅胶粘剂、环氧树脂胶粘剂和聚氨酯类胶粘剂中的一种,其粘着力为0.01N/25mm-2N/25mm。

8.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的激光器(6)的波长为300nm~1200nm,功率为0.1W~20W,照射面积为0.0025mm2-0.5mm2。

9.根据权利要求1所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述的气动器(7)工作气压为0.1MPa-2MPa,工作频率为10Hz-500Hz。

10.根据权利要求1至9任一项所述的具有分布式梯度的巨量转移用晶膜,其特征在于:所述通孔基板(2)、第一粘结层(3)、弹性层(4)、第二粘结层(5)组合成转移晶膜,其制作流程为:

S101:将底膜(11)固定在旋涂台(12)上;

S102:将第一粘结层(3)旋涂在底膜(11)上表面;

S103:将第一粘结层(3)烘干固化;

S104:将弹性层(4)旋涂在第一粘结层(3)上表面;

S105:将弹性层(4)烘干固化;

S106:将第二粘结层(5)旋涂在弹性层(4)上表面;

S107:将第二粘结层(5)烘干固化;

S108:将保护膜(13)贴合在第二粘结层(5)上表面;

S109:沿切割线去除边缘不平整部分;

S110:撕去保护膜(13)并将第一粘结层(3)贴合至通孔基板(2);

S111:将转移晶膜放入真空容器,抽真空排出通孔基板(2)与第一粘结层(3)间的气泡,实现紧密接触并保证平整性。

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