[发明专利]一种用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法在审
| 申请号： | 202310085973.9 | 申请日： | 2023-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN116092925A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 乔伟娜;梁成栋;何亮亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 hk 金属 对准 halo 补偿 沟道 注入 方法 | ||
1.一种用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供基底，在所述基底上形成STI区和有源区；
步骤二、在所述有源区内形成阱区；
步骤三、在所述基底上表面形成栅氧层；
步骤四、在所述栅氧层上形成伪栅结构；
步骤五、在所述伪栅结构侧壁形成第一侧墙；
步骤六、在伪栅结构两侧的所述基底内形成LDD区；
步骤七、形成依附于所述第一侧墙的第二侧墙；
步骤八、在所述伪栅结构两侧的所述基底内形成源漏区；
步骤九、在所述伪栅结构两侧的基底上覆盖CESL层，并在所述CESL层上填充ILD层；
步骤十、移除所述伪栅结构和位于所述伪栅结构下的栅氧层，形成底部为基底上表面的凹槽；
步骤十一、垂直于所述基底上表面在所述凹槽区域向基底内注入Halo离子，形成自对准掺杂区；
步骤十二、在所述凹槽内形成金属栅结构；
步骤十三、对所述金属栅结构进行金属化。
2.根据权利要求1所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：步骤四中在所述栅氧层上形成多个所述伪栅结构；所述多个伪栅结构彼此间隔排布。
3.根据权利要求2所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：步骤六中形成所述LDD区的方法是在所述多个伪栅结构之间的基底上方向所述基底内注入Halo离子，形成所述LDD区。
4.根据权利要求3所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：步骤六中Halo离子的注入方向与所述基底上表面呈斜角。
5.根据权利要求1所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：步骤六中的所述LDD区用于源漏耗尽区的宽度。
6.根据权利要求1所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：步骤九中的所述CESL层同时覆盖于所述第二侧墙。
7.根据权利要求1所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：步骤九填充所述ILD层后，对所述ILD层顶部进行平坦化。
8.根据权利要求1所述的用于HK金属栅的自对准Halo补偿沟道注入方法，其特征在于：
步骤十二中的所述金属栅结构包括位于所述基底上的氧化层、位于所述氧化层上的HK介质层、位于所述HK介质层上的金属栅极材料层。
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