[发明专利]一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件

权利要求书

1.一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底(100)、下限制层(101)、下波层(102)，有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上限制层(106)，其特征在于：有源层(103)与上波导层(104)之间和有源层(103)与下波导层之间设有俄歇辅助光发射层(107)。

2.如权利要求1所述的一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，其特征在于，所述俄歇辅助光发射层(107)在具有自旋交换俄歇式激发转移发射机制，自旋交换转移速率超过带内能量损失和带内冷却速度，降低泵浦光与振荡光之间光子能量差的斯托克斯频移损耗，提升泵浦能级到激光能级的耦合几率，辅助增强激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，降低热损耗，降低激光元件的能量损失和废热量，改善温度分布不均匀问题，缓解热膨胀和热应力分布不均匀，改善温度淬灭、激光元件断裂、热透镜效应和应力双折射效应，提升激光元件的激射功率、斜率效率和改善激光光束去极化。

3.如权利要求2所述的一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，其特征在于，所述俄歇辅助光发射层(107)为CdSe:Mn、SnS₂:Mn、CuSnS₂:Mn、CoSnS₂:Mn、RMnO₅(R为稀土元素)、WS₂:Mn的任意一种或任意组合。

4.如权利要求3所述的一种设有俄歇辅助光发射层的半导体激光元件，其特征在于，所述俄歇辅助光发射层(107)的任意组合包括以下二元组合的异质结、超晶格、量子阱、核壳结构、量子点等结构但不限于以下结构：

CdSe:Mn/SnS₂:Mn,CdSe:Mn/CuSnS₂:Mn,CdSe:Mn/CoSnS₂:Mn,CdSe:Mn/RMnO₅,CdSe:Mn/WS₂:Mn,S nS₂:Mn/CuSnS₂:Mn,SnS₂:Mn/CoSnS₂:Mn,SnS₂:Mn/RMnO₅,SnS₂:Mn/WS₂:Mn,CuSnS₂:Mn/CoSnS₂:Mn,C uSnS₂:Mn/RMnO₅,CuSnS₂:Mn/WS₂:Mn,CoSnS₂:Mn/RMnO₅,CoSnS₂:Mn/WS₂:Mn,RMnO₅/WS₂:Mn。