[发明专利]掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法

权利要求书

1.一种掩模胚料，具有透光基板、以及在所述透光基板的主表面上设置的图案形成用薄膜，该掩模胚料的特征在于，

所述薄膜含有钛、硅以及氮，

在使相对于所述薄膜的内部区域利用X射线光电子能谱法进行分析而得到的Ti2p窄谱中结合能是455eV的光电子强度为P_N、使Si2p窄谱中结合能是102eV的光电子强度为P_S时，满足P_N/P_S比1.18大的关系，

所述内部区域是所述薄膜的除了所述透光基板侧的附近区域和与所述透光基板相反一侧的表层区域以外的区域，

所述内部区域中氮的含量为30原子％以上。

2.如权利要求1所述的掩模胚料，其特征在于，

在使所述Ti2p窄谱中结合能是461eV的光电子强度为P_NU时，满足P_NU/P_S比1.05大的关系。

3.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

所述内部区域中钛的含量相对于钛及硅的总含量的比率为0.05以上。

4.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

所述内部区域中钛、硅以及氮的总含量为90原子％以上。

5.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

所述内部区域的氧含量为7原子％以下。

6.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

与所述透光基板侧相反一侧的表层区域是从与所述透光基板相反一侧的表面向所述透光基板侧延续至10nm深度的范围内的区域。

7.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

所述透光基板侧的附近区域是从所述透光基板侧的表面向与所述透光基板相反一侧延续至10nm深度的范围内的区域。

8.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

所述薄膜为相移膜，

所述相移膜相对于波长为365nm的光的透过率为1％以上，并且相对于波长为365nm的光的相位差为150度以上、210度以下。

9.如权利要求1或2所述的掩模胚料，其特征在于，

在所述薄膜上具有蚀刻选择性相对于所述薄膜不同的蚀刻掩模膜。

10.如权利要求9所述的掩模胚料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜含有铬。

11.一种转印用掩模，具有透光基板、以及在所述透光基板的主表面上设置且具有转印图案的薄膜，该转印用掩模的特征在于，

所述薄膜含有钛、硅以及氮，

在使相对于所述薄膜的内部区域利用X射线光电子能谱法进行分析而得到的Ti2p窄谱中结合能是455eV的光电子强度为P_N、使Si2p窄谱中结合能是102eV的光电子强度为P_S时，满足P_N/P_S比1.18大的关系，

所述内部区域是所述薄膜的除了所述透光基板侧的附近区域和与所述透光基板相反一侧的表层区域以外的区域，

所述内部区域中氮的含量为30原子％以上。

12.如权利要求11所述的转印用掩模，其特征在于，

在使所述Ti2p窄谱中结合能是461eV的光电子强度为P_NU时，满足P_NU/P_S比1.05大的关系。

13.如权利要求11或12所述的转印用掩模，其特征在于，

所述内部区域中钛的含量相对于钛及硅的总含量的比率为0.05以上。