[发明专利]压电陶瓷叠堆原料组合物、压电陶瓷叠堆和制备方法在审
申请号: | 202310091715.1 | 申请日: | 2023-02-09 |
公开(公告)号: | CN116178008A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 连子龙;许良 | 申请(专利权)人: | 苏州隐冠半导体技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/491 | 分类号: | C04B35/491;C04B35/117;C04B35/622;H10N30/853;H10N30/057;H10N30/093;H10N30/097 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 金田蕴 |
地址: | 215211 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 陶瓷 原料 组合 制备 方法 | ||
1.一种压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,包括:压电陶瓷层原料、结构陶瓷层原料和过渡层原料;
所述压电陶瓷层原料包括压电陶瓷粉体;
所述结构陶瓷层原料包括氧化铝粉体和改性粉体,所述改性粉体用于降低所述氧化铝粉体的烧结温度;
所述过渡层原料包括所述压电陶瓷粉体、所述氧化铝粉体和所述改性粉体。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述压电陶瓷叠堆原料组合物包括两组以上过渡层原料,所述两组以上过渡层原料中的所述压电陶瓷粉体的含量依次递减,且所述两组以上过渡层原料中的所述氧化铝粉体的含量依次递增;
优选的,所述过渡层原料包括第一过渡层原料和第二过渡层原料,所述第一过渡层原料中所述氧化铝粉体的含量小于所述第二过渡层原料中所述氧化铝粉体的含量,所述第一过渡层原料中所述压电陶瓷粉体的含量大于所述第二过渡层原料中所述压电陶瓷粉体的含量;
更优选的,所述过渡层原料还包括第三过渡层原料,所述第三过渡层原料中所述氧化铝粉体的含量小于所述第二过渡层原料中所述氧化铝粉体的含量,且大于所述第一过渡层原料中所述氧化铝粉体的含量,所述第三过渡层原料中所述压电陶瓷粉体的含量大于所述第二过渡层原料中所述压电陶瓷粉体的含量,且小于所述第一过渡层原料中所述压电陶瓷粉体的含量。
3.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述改性粉体包括PbO、SiO2、B2O3、Bi2O3、CaO、Na2O、K2O、Li2O、MgO、ZnO和BaO中的任意一种或者多种。
4.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述结构陶瓷层原料中的所述改性粉体和所述氧化铝粉体的重量比为40:60-50:50。
5.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述过渡层原料中的所述改性粉体的含量为10wt%~40wt%;
和/或,所述过渡层原料中的所述氧化铝粉体和所述压电陶瓷粉体的重量比为90:10~10:90。
6.根据权利要求1所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述氧化铝粉体和所述改性粉体的D90≤1μm。
7.根据权利要求1所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述结构陶瓷层原料还包括第一溶剂,所述第一溶剂的含量为35wt%~40wt%,
和/或,所述过渡层原料还包括第二溶剂,所述第二溶剂的含量为40wt%~50wt%,和/或,所述压电陶瓷层原料还包括第三溶剂,所述第三溶剂的含量为50wt%~60wt%,
优选的,所述第一溶剂、所述第二溶剂和/或所述第三溶剂包括选自无水乙醇、聚乙烯醇缩丁醛、三乙醇胺、邻苯二甲酸二辛酯和聚乙二醇400中的任意一种或者多种。
8.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷叠堆原料组合物,其特征在于,所述压电陶瓷粉体包括锆钛酸铅、锆钛酸铅改性材料和氧化锆中的任意一种或者多种。
9.一种压电陶瓷叠堆制备方法,其特征在于,包括:
步骤S1,将权利要求1至8任一项所述的压电陶瓷层原料、结构陶瓷层原料和过渡层原料分别流延成膜,得到压电陶瓷层膜片、结构陶瓷层膜片和过渡层膜片;
步骤S2,将所述压电陶瓷层膜片印刷电极后叠层放置,得到第一样品;
步骤S3,在所述第一样品的两端分别依次设置过渡层膜片和结构陶瓷层膜片,并对所述过渡层膜片和所述结构陶瓷层膜片进行热压整平,得到第二样品;
步骤S4,将所述第二样品进行等静压、切割处理,得到压电陶瓷素胚;
步骤S5,将所述压电陶瓷素胚进行排胶和烧结处理,得到压电陶瓷叠堆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州隐冠半导体技术有限公司,未经苏州隐冠半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310091715.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。