[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

第一阱区，位于所述基底内；

第一体区，位于所述第一阱区内；

第二体区，位于所述基底内，与所述第一体区间隔设置，且至少部分位于所述第一阱区内；

第二阱区，位于所述第一阱区内，且位于所述第一体区与所述第二体区之间，与所述第一体区间隔设置；

多个欧姆接触区，位于所述基底内，在第一方向上，至少部分所述欧姆接触区位于所述第一体区、所述第二体区、所述第一阱区和所述第二阱区内；

其中，所述第二阱区与位于所述第二阱区内的所述欧姆接触区作为结型场效应晶体管的漏极区和NPN的集电极区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多个第三阱区，位于所述基底内；其中，在第二方向上，所述第三阱区位于所述第一阱区相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向相垂直。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二体区位于所述第一阱区内。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，多个所述欧姆接触区均位于所述第二体区内。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二体区部分位于所述第一阱区内。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，部分所述欧姆接触区延伸至所述第三阱区内。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述欧姆接触区包括多个第一导电类型的欧姆接触区和多个第二导电类型的欧姆接触区，所述第一导电类型的欧姆接触区和所述第二导电类型的欧姆接触区交替间隔设置。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，目标类型的欧姆接触区延伸至所述第三阱区内；其中，所述目标类型为第一导电类型和第二导电类型中的一种。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多个浅沟槽隔离结构，间隔排布于所述基底内，且至少部分所述浅沟槽隔离结构位于所述第一阱区和所述第一体区内；其中，多个所述欧姆接触区位于相邻两个所述浅沟槽隔离结构之间。

10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底内形成第一阱区；

于所述第一阱区内形成第一体区；

于所述基底内形成第二体区，所述第二体区与所述第一体区间隔设置，且至少部分位于所述第一阱区内；

于所述第一阱区内形成第二阱区，所述第二阱区位于所述第一体区与所述第二体区之间，与所述第一体区间隔设置；

于所述基底内形成多个欧姆接触区，在第一方向上，至少部分所述欧姆接触区位于所述第一体区、所述第二体区、所述第一阱区和所述第二阱区内；

其中，所述第二阱区与位于所述第二阱区内的所述欧姆接触区作为结型场效应晶体管的漏极区和NPN的集电极区。