[发明专利]一种TOPCon电池正面减反射膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述正面减反射膜包括依次沉积在氧化铝层表面上的氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层；其中，所述氮化硅层由2个以上的氮化硅子层沉积而成，且各氮化硅子层的折射率自靠近所述氧化铝层的一侧向远离所述氧化铝层的方向依次递减。

2.如权利要求1所述的TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述氮化硅层自靠近所述氧化铝层的一侧包括依次沉积的第一氮化硅子层、第二氮化硅子层和第三氮化硅子层。

3.如权利要求2所述的TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述第一～第三氮化硅子层的折射率依次为2.08～2.12、2.03～2.07和2.0～2.02，各氮化硅子层的厚度均为11～17nm。

4.如权利要求1或3所述的TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述氮氧化硅层包括依次沉积在所述氮化硅层上的第一氮氧化硅子层和第二氮氧化硅子层，其中第一氮氧化硅子层的折射率大于所述第二氮氧化硅子层且小于所述氮化硅层的折射率。

5.如权利要求4所述的TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述第一、第二氮氧化硅子层的折射率分别为1.93～1.97和1.84～1.88，各氮氧化硅子层的厚度均为11～17nm。

6.如权利要求1所述的TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述氧化硅层的折射率为1.40～1.50，厚度为8～12nm。

7.如权利要求1所述的TOPCon电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述TOPCon电池正面减反射膜的折射率为1.98～2.02，厚度为75～85nm。

8.一种权利要求1～7任一种TOPCon电池正面减反射膜的制备方法，其特征在于，包括在氧化铝层上依次沉积氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层的步骤；

其中，氮化硅层的沉积步骤为：在430～480℃、真空的条件下，分三次沉积氮化硅层：

在一次沉积步骤中，通入氨气的流量为9000～11000sccm，通入甲硅烷的流量为2700～3000sccm，炉管内压力为1400～1700mTorr，通气反应时间为200～250s；

在二次沉积步骤中，通入氨气的流量为10500～12500sccm，通入甲硅烷的流量为1800～2200sccm，炉管内压力为1600～1800mTorr，通气反应时间为200～250s；

在三次沉积步骤中，通入氨气的流量为11500～13500sccm，通入甲硅烷的流量为1200～1600sccm，炉管内压力为1600～1800mTorr，通气反应时间为260～300s。

9.如权利要求8所述的TOPCon电池正面减反射膜的制备方法，其特征在于，氮氧化硅层的沉积步骤为：在430～480℃、真空的条件下，分两次沉积氮氧化硅层：

在一次沉积步骤中，通入甲硅烷的流量为1100～1300sccm，通入氨气的流量为5000～5400sccm，通入一氧化二氮的流量为7200～7600sccm，炉管内压力为1000～2000mTorr，通气反应时间为130～150s；

在二次沉积步骤中，通入甲硅烷的流量为800～1000sccm，通入氨气的流量为3800～4200sccm，通入一氧化二氮的流量为8800～9000sccm，炉管内压力为1000～2000mTorr，通气反应时间为130～150s。

10.如权利要求8所述的TOPCon电池正面减反射膜的制备方法，其特征在于，氧化硅层的沉积步骤为：在430～480℃、真空的条件下，通入甲硅烷的流量为800～1000sccm，通入一氧化二氮的流量为10500～12500sccm，炉管内压力为1000～2000mTorr，通气反应时间为130～150s。