[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

叠层结构，包括在垂直方向上交替堆叠的栅线层与电介质层；

虚设结构，沿垂直方向贯穿所述叠层结构，所述虚设结构包括第一虚设部与第二虚设部；

栅线缝隙，沿垂直方向贯穿所述叠层结构，所述栅线缝隙的一端伸入由所述第一虚设部与/或所述第二虚设部形成的间隙中，

所述间隙分别位于所述第一虚设部围成的区域以及所述第二虚设部围成的区域，所述虚设结构还包括第三虚设部，所述第三虚设部位于所述第一虚设部及所述第二虚设部之间且分别与所述第一虚设部和所述第二虚设部连接，且所述第三虚设部与所述栅线缝隙间隔预设距离。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述第一虚设部与所述第二虚设部中的至少一个与所述栅线缝隙在水平面上的投影部分重叠。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：在垂直于所述栅线缝隙的延伸方向上，所述虚设结构与所述栅线缝隙在水平面上的投影的重叠部分的宽度为M，所述栅线缝隙的宽度为N，其中，M0.1N。

4.根据权利要求1-3任一项所述的三维存储器，其特征在于：所述三维存储器包括在第二水平方向上依次设置的核心区和台阶区，所述栅线缝隙包括位于所述核心区的第一栅线缝隙，所述第一栅线缝隙朝向所述台阶区的一端连接有一所述虚设结构。

5.根据权利要求1-3任一项所述的三维存储器，其特征在于：所述三维存储器包括在第一水平方向上由所述栅线缝隙将所述叠层结构进行划分的多个区块，所述区块包括在第二水平方向上依次设置的第一核心区、台阶区及第二核心区，所述第一水平方向与所述第二水平方向相互垂直。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于：多个区块包括相邻的第一区块和第二区块，所述栅线缝隙包括位于所述第一区块与所述第二区块之间且位于所述第一核心区的第一栅线缝隙，所述栅线缝隙包括位于所述第一区块与所述第二区块之间且位于所述第二核心区的第二栅线缝隙，所述第一栅线缝隙朝向所述台阶区的一端连接有一所述虚设结构，所述第二栅线缝隙朝向所述台阶区的一端连接有一所述虚设结构。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于：所述栅线缝隙包括位于所述第一区块远离所述第二区块的一侧的多条间隔的第三栅线缝隙以及位于所述第二区块远离所述第一区块的一侧的多条间隔的第四栅线缝隙，所述第三栅线缝隙和所述第四栅线缝隙位于所述台阶区，相邻两条所述第三栅线缝隙之间通过所述虚设结构连接；相邻两条所述第四栅线缝隙之间通过所述虚设结构连接。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于：所述第一区块在远离所述第二区块的边缘区域设有位于所述台阶区的第一挡墙结构，所述第二区块在远离所述第一区块的边缘区域设有位于所述台阶区的第二挡墙结构，所述第三栅线缝隙位于所述第一挡墙结构远离所述第二挡墙结构的一侧，所述第四栅线缝隙位于所述第二挡墙结构远离所述第一挡墙结构的一侧，所述第一挡墙结构及所述第二挡墙结构均包括在垂直方向上交替堆叠的导电层及绝缘层。

9.根据权利要求1-3任一项所述的三维存储器，其特征在于：所述虚设结构采用绝缘材料。

10.根据权利要求1-3任一项所述的三维存储器，其特征在于：所述虚设结构的底面低于所述栅线缝隙的底面。

11.根据权利要求1-3任一项所述的三维存储器，其特征在于：还包括多晶硅层，所述叠层结构设于所述多晶硅层上，所述栅线缝隙的底部至少延伸至所述多晶硅层表面。