[发明专利]红外薄膜器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310100947.9 申请日: 2023-02-09
公开(公告)号: CN116500707A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 付秀华;刘瑞奇;王奔;潘永刚 申请(专利权)人: 长春理工大学中山研究院
主分类号: G02B1/115 分类号: G02B1/115;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30
代理公司: 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 代理人: 黄贞君;郑纯
地址: 130028 吉林省长春市火*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 红外 薄膜 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种红外薄膜器件及其制备方法,属于光学薄膜技术领域,具体包括惰性基底;长波通膜系,沉积在所述惰性基底的一表面,所述长波通膜系为非等厚周期膜系,周期膜系的结构表达为x(0.8Lsubgt;1/subgt;(Hsubgt;1/subgt;Lsubgt;1/subgt;)supgt;3/supgt;Hsubgt;1/subgt;0.8Lsubgt;1/subgt;)supgt;3/supgt;,其中,Hsubgt;1/subgt;为高折射率材料ZnS,Lsubgt;1/subgt;为低折射率材料Yb‑B,Yb‑B为YbFsubgt;3/subgt;与Ca的混合薄膜材料,x为膜厚度为λ/4的倍数;以及增透膜系,沉积在所述惰性基底的另一表面,基础膜系的结构为Sub|(Hsubgt;2/subgt;Lsubgt;2/subgt;)supgt;2/supgt;Msubgt;2/subgt;|Air进行设计,其中,Hsubgt;2/subgt;为高折射率材料Ge,Lsubgt;2/subgt;为中折射率材料ZnS,Msubgt;2/subgt;为低折射率材Yb‑B,Yb‑B为YbFsubgt;3/subgt;与Ca的混合薄膜材料,所述长波通膜系、所述增透膜系与空气接触的表面面型和所述惰性基底的表面面型相近。通过本申请的处理方案,降低应力对膜层以及器件的影响,提高膜层强度。

技术领域

本发明涉及光学薄膜技术领域,具体涉及一种红外薄膜器件及其制备方法。

背景技术

应力的存在不仅会造成光学器件的薄膜起皱、破裂和脱落等直接破坏,还会通过膜层与膜层之间、膜层与基底之间的相互作用,影响光学系统的光学性能和成像质量,尤其是红外薄膜。由于红外薄膜厚度较厚,膜层强度较差,严重时应力会导致光学器件发生裂膜或者脱膜现象。

而现有对低应力薄膜的研究主要集中在调整工艺方面,但依旧无法降低应力对器件薄膜的影响。

发明内容

因此,为了克服上述现有技术的缺点,本发明提供一种入射角度大于50°时,微光波段反射,中红外波段透射,具有高的面型精度和低应力薄膜的红外薄膜器件及其制备方法。

为了实现上述目的,本发明提供一种红外薄膜器件,包括:惰性基底;长波通膜系,沉积在所述惰性基底的一表面,所述长波通膜系为非等厚周期膜系,周期膜系的结构表达为x(0.8L1(H1 L1)3H10.8L1)3,其中,H1为高折射率材料ZnS,L1为低折射率材料Yb-B,Yb-B为YbF3与Ca的混合薄膜材料,x为膜厚度为λ/4的倍数;以及增透膜系,沉积在所述惰性基底的另一表面,基础膜系的结构为Sub|(H2L2)2M2|Air进行设计,其中,H2为高折射率材料Ge,L2为中折射率材料ZnS,M2为低折射率材Yb-B,Yb-B为YbF3与Ca的混合薄膜材料,所述长波通膜系、所述增透膜系与空气接触的表面面型和所述惰性基底的表面面型相近。

在一个实施例中,所述长波通膜系中多个周期膜系的膜厚成等差数列或等比数列。

在一个实施例中,所述长波通膜系中周期膜系的周期数为3~8。

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