[发明专利]一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底放入MOCVD设备中，在所述衬底上依次外延生长N+GaN层、N-GaN层和P-GaN层；

在需要制作肖特基接触的区域，刻蚀P-GaN直至暴露出N-GaN表面，其他区域的P-GaN保留，形成刻蚀凹槽和P-GaN台面；

采用原子层沉积设备在所述P-GaN台面的部分区域和所述刻蚀凹槽沉积AlN薄膜；所述P-GaN台面的部分区域和所述刻蚀凹槽相连；所述AlN薄膜的厚度在4nm以内；

在需要制作欧姆接触的区域，刻蚀P-GaN层及N-GaN层，直至暴露出N+GaN层为止；

在暴露出N+GaN层的位置制作欧姆电极，在所述AlN薄膜表面制作肖特基电极，所述AlN薄膜将P-GaN和N-GaN与肖特基电极隔开，得到准垂直结构GaN肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlN薄膜中Al和N的原子比为1:1。

4.权利要求1~3任一项所述制备方法制备得到的准垂直结构GaN肖特基二极管。