[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

形成半导体器件的方法包括：在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；以及在钝化层上方形成电感组件，包括：在钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；在第一磁层上方形成第一聚合物层；在第一聚合物层上方形成第一导电部件；在第一聚合物层和第一导电部件上方形成第二聚合物层；图案化第二聚合物层，其中在图案化之后，第二聚合物层的第一侧壁包括多个段，其中多个段中的第一段的延伸与第二聚合物层相交；以及在图案化第二聚合物层之后，在第二聚合物层上方依次形成第二绝缘层和第二磁层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。作为示例，通常通过在半导体衬底上方沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着集成密度的增大，半导体器件的制造面临挑战。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；在所述钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；在所述第一磁层上方形成第一聚合物层；在所述第一聚合物层上方形成第一导电部件和第二导电部件；在所述第一聚合物层、所述第一导电部件和所述第二导电部件上方形成第二聚合物层，其中，所述第二聚合物层由光敏材料形成；将所述第二聚合物层暴露于穿过第一掩模层投射的光源，其中，所述第一掩模层在曝光期间位于所述第二聚合物层上方并且包括：第一透明层；第一非透明图案，附接至所述第一透明层并且位于所述第一导电部件的第一侧处；和第二非透明图案，附接至所述第一透明层并且位于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间的所述第一导电部件的第二相对侧处；将所述第二聚合物层暴露于穿过第二掩模层投射的所述光源，其中，所述第二掩模层包括第三非透明图案，所述第三非透明图案附接至第二透明层并且位于所述第一导电部件的所述第一侧处，所述第三非透明图案具有比所述第一非透明图案小的宽度，其中，所述第二掩模层在所述第一导电部件和所述第二导电部件之间没有非透明图案；显影所述第二聚合物层以去除所述第二聚合物层的部分；以及在所述显影之后，在所述第二聚合物层上方依次形成第二绝缘层和第二磁层。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；以及在所述钝化层上方形成电感组件，包括：在所述钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；在所述第一磁层上方形成第一聚合物层；在所述第一聚合物层上方形成第一导电部件；在所述第一聚合物层和所述第一导电部件上方形成第二聚合物层；图案化所述第二聚合物层，其中，在所述图案化之后，所述第二聚合物层的第一侧壁包括多个段，其中，所述多个段中的第一段的延伸与所述第二聚合物层相交；和在图案化所述第二聚合物层之后，在所述第二聚合物层上方依次形成第二绝缘层和第二磁层。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：导电焊盘，位于衬底上方；钝化层，位于所述导电焊盘上方；第一绝缘层，位于所述钝化层上方；第一磁层，位于所述第一绝缘层上方；第一聚合物层，位于所述第一磁层上方；导电部件，位于所述第一聚合物层上方；第二聚合物层，位于所述第一聚合物层上方和所述导电部件周围，其中，所述第二聚合物层的第一侧壁具有以不同角度相交的多个段；第二绝缘层，位于所述第二聚合物层上方；以及第二磁层，位于所述第二绝缘层上方。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意地增大或减小各种部件的尺寸。

图1至图6和图7A至图7C示出了根据实施例的在制造的各个阶段处的半导体器件的各个视图。

图8示出了根据实施例的半导体结构的截面图。