[发明专利]金属互连结构的形成方法在审
申请号: | 202310108882.2 | 申请日: | 2023-02-13 |
公开(公告)号: | CN116031204A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 石基;周军;谭林 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种金属互连结构的形成方法,其特征在于,包括:
在介质层和通孔表面形成第一阻挡层,所述通孔形成于所述介质层中且在所述介质层表面开口;
进行反溅射,对所述第一阻挡层在所述开口处形成的突起结构进行修剪处理;
在所述第一阻挡层表面形成第二阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一阻挡层包括氮化钽层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在介质层和通孔表面形成第一阻挡层,包括:
通过溅射工艺在所述介质层和所述通孔表面沉积氮化钽层形成所述第一阻挡层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第二阻挡层包括钽层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在所述第一阻挡层表面形成第二阻挡层,包括:
通过溅射工艺在所述第一阻挡层上沉积第一钽层;
进行反溅射,对所述第一钽层进行修剪处理;
通过溅射工艺沉积第二钽层,所述第二钽层和剩余的第一钽层形成所述第二阻挡层。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法,其特征在于,所述在所述第一阻挡层表面形成第二阻挡层之后,还包括:
在所述第二阻挡层上形成金属层,所述金属层填充所述通孔;
进行平坦化处理,去除所述通孔外其它区域的第一阻挡层、第二阻挡层和金属层,所述通孔内的第一阻挡层、第二阻挡层和金属层构成接触孔。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述第二阻挡层上形成金属层,包括:
在所述第二阻挡层上形成铜籽晶层;
在所述铜籽晶层上形成金属铜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造