[发明专利]基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源在审
申请号: | 202310109759.2 | 申请日: | 2023-02-13 |
公开(公告)号: | CN116111986A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 谢彦召;杨宇;仇杨鑫;王绍飞;王异凡;郑一鸣;张恬波;曾明全;龚金龙 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 |
主分类号: | H03K3/335 | 分类号: | H03K3/335;H03K3/011 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 张宇鸽 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 雪崩 并联 递增 结构 高幅值高重频亚纳秒 脉冲 | ||
1.基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源,其特征在于,包括:脉冲触发单元和电源Ec;
所述脉冲触发单元包括首级脉冲触发单元(1)、中间脉冲触发单元(2)和末级脉冲触发单元(3);所述首级脉冲触发单元(1)、中间脉冲触发单元(2)和末级脉冲触发单元(3)依次连接,所述中间脉冲触发单元(2)为若干个;所述电源Ec分别与首级脉冲触发单元(1)、中间脉冲触发单元(2)和末级脉冲触发单元(3)连接进行供电;所述首级脉冲触发单元(1)外接控制信号源,接收控制信号;所述首级脉冲触发单元(1)提供脉冲电压至中间脉冲触发单元(2)和末级脉冲触发单元(3),中间脉冲触发单元(2)的脉冲电压与前一个脉冲触发单元的脉冲电压相叠加传递至下一脉冲触发单元;所述末级脉冲触发单元(3)外接一个微带线,所述微带线外接电阻RL,电阻RL接地;
所述首级脉冲触发单元(1)包括充电电容C1、雪崩三极管Q1、第一微带线T1和第二微带线T2;所述中间脉冲触发单元(2)包括充电电容C2、雪崩三极管Q2、第三微带线T3和第四微带线T4;
所述第一微带线T1、充电电容C1、第二微带线T2和雪崩三极管Q1依次进行连接;所述雪崩三极管Q1连接第三微带线T3;所述第三微带线T3、充电电容C2、第四微带线T4和雪崩三极管Q2依次进行连接;充电电容C2和充电电容C1分别与电源Ec连接;所述第一微带线T1、第二微带线T2、第三微带线T3和第四微带线T4两端均接地。
2.根据权利要求1所述的基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源,其特征在于,所述首级脉冲触发单元(1)还包括:电容C0、电阻R0、电阻R1;所述第一微带线T1、充电电容C1、第二微带线T2和雪崩三极管Q1依次进行连接,具体为:
所述第一微带线T1的一端接地,所述第一微带线T1的另一端连接充电电容C1的一端,所述充电电容C1的另一端分别连接第二微带线T2的一端和电源Ec,所述第二微带线T2的另一端连接雪崩三极管Q1的集电极;所述雪崩三极管Q1的基极分别连接电阻R0的一端和电容C0的一端,所述电阻R0的另一端连接雪崩三极管的发射极;所述电容C0的另一端和电阻R0的另一端外接控制信号源;所述雪崩三极管Q1的发射极分别连接中间脉冲触发单元和电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源,其特征在于,所述中间脉冲触发单元(2)和末级脉冲触发单元(3)的结构相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院,未经西安交通大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310109759.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。