[发明专利]背接触太阳能电池和制备方法

说明书

本申请提供一种背接触太阳能电池和制备方法。该太阳能电池包括：具有相对正面和背面的硅衬底，硅衬底为第一掺杂类型；以及设置于硅衬底背面的第一发射极、第一隔离区、第二隔离区和第二发射极，第一隔离区和第二隔离区沿第一方向设置于第一发射极和第二发射极之间，第一发射极为第二掺杂类型，第一隔离区和第二发射极为第一掺杂类型，其中，第一方向与硅衬底的厚度方向相交。本申请的太阳能电池和制备方法通过在第一发射极和第二发射极之间设置第一隔离区和第二隔离区解决了太阳能电池反向漏电超标和无法通过热斑测试的问题。

技术领域

本申请主要涉及光伏技术领域，具体地涉及一种背接触太阳能电池和制备方。

背景技术

背接触电池(interdigitated back contact,IBC)的电极位于电池的背面，因此减少了对电池受光面的遮挡，从而提高电池的转换效率，逐渐成为产业化高效电池的主要研发方向。目前，在背接触电池的量产过程中存在反向漏电超标和电池组件热斑测试失效的问题。

所以，如何解决背接触电池存在的反向漏电超标和电池组件热斑测试失效是亟待解决的问题。

发明内容

本申请要解决的技术问题是提供一种背接触太阳能电池和制备方法，该太阳能电池和制备方法能够解决背接触电池存在的反向漏电超标和电池组件热斑测试失效问题。

本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种背接触太阳能电池，包括：具有相对正面和背面的硅衬底，所述硅衬底为第一掺杂类型；以及设置于所述硅衬底背面的第一发射极、第一隔离区、第二隔离区和第二发射极，所述第一隔离区和所述第二隔离区沿第一方向设置于所述第一发射极和所述第二发射极之间，所述第一发射极为第二掺杂类型，所述第一隔离区和所述第二发射极为第一掺杂类型，其中，所述第一方向与所述硅衬底的厚度方向相交。

在本申请一实施例中，所述第一发射极、所述第一隔离区、所述第二隔离区和所述第二发射极沿所述第一方向依次相邻地设置于所述硅衬底的背面。

在本申请一实施例中，所述第一隔离区沿所述第一方向具有相对第一侧和第二侧，所述第二隔离区沿所述第一方向具有相对的第三侧和第四侧，所述第一侧与所述第一发射极相接，所述第二侧与所述第三侧相接，所述第四侧与所述第二发射极相接。

在本申请一实施例中，所述第二隔离区为所述第二掺杂类型或所述第一掺杂类型。

在本申请一实施例中，第一部分的所述第二隔离区为所述第一掺杂类型，第二部分的所述第二隔离区为所述第二掺杂类型。

在本申请一实施例中，所述第一发射极包括隧穿氧化层和多晶硅层，所述隧穿氧化层设置于所述硅衬底背面，所述多晶硅层设置于所述隧穿氧化层远离所述硅衬底的一面，其中，所述多晶硅层为第二掺杂类型。

在本申请一实施例中，所述第一隔离区具有金字塔绒面形貌。

在本申请一实施例中，所述第二隔离区沿所述厚度方向远离所述硅衬底的表面具有平坦形貌。

在本申请一实施例中还包括：第一钝化层和减反射层，所述第一钝化层和所述减反射层沿所述厚度方向依次设置于所述硅衬底的正面。

在本申请一实施例中，所述第一钝化层包括化学钝化层和场钝化层，其中，所述化学钝化层设置于所述硅衬底的正面，所述场钝化层设置于所述化学钝化层远离所述硅衬底的一面。

本申请为解决上述技术问题还提出一种背接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：提供硅衬底，所述硅衬底具有相对的正面和背面，且为第一掺杂类型；以及在所述硅衬底的背面形成第一发射极、第一隔离区、第二隔离区和第二发射极，所述第一隔离区和所述第二隔离区沿第一方向设置于所述第一发射极和所述第二发射极之间，所述第一发射极为第二掺杂类型，所述第一隔离区和所述第二发射极为第一掺杂类型，其中，所述第一方向与所述硅衬底的厚度方向相交。