[发明专利]均衡器电路在审

专利信息
申请号: 202310115480.5 申请日: 2023-02-07
公开(公告)号: CN116054746A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 靳佳伟;侯中原;薛亮 申请(专利权)人: 硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司
主分类号: H03D7/14 分类号: H03D7/14;H04L25/03
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王晓玲
地址: 100086 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 均衡器 电路
【说明书】:

本申请公开了均衡器电路。该均衡器电路包括电流源模块、RC网络、差分晶体管对,电流源模块与RC网络电连接,RC网络与差分晶体管对电连接,均衡器电路还包括:可调有源电感模块,分别与差分晶体管对中的第一晶体管和第二晶体管电连接;控制模块,分别与电流源模块、RC网络和可调有源电感模块电连接,用于通过调节电流源模块、RC网络和可调有源电感模块的性能参数,改变均衡器电路的主极点和次极点的频率。上述均衡器电路能够得到针对不同频点峰值的补偿曲线,很好地兼容解决不同协议、不同速率下的信道补偿问题,解决了相关技术中在不同协议、不同速率下均衡器需要补偿的信道衰减不同,导致无法实现每个频点峰值的增益提升均能够0‑15dB内可调的问题。

技术领域

本申请涉及数据传输技术领域,具体而言,涉及一种均衡器电路。

背景技术

均衡器(Equalizer,EQ)是芯片接收端的重要组成部分,用于补偿信号在信道中的衰减,在不同的接口协议、不同速率下,EQ需要补偿的信道衰减也不同。为了解决长信道和短信道衰减不同的情况,一般会将EQ的增益提升(gain boost)做成可调模式,比如0-15dB内可调,步长1dB左右。

相关技术中是针对数据传输中的最大带宽进行补偿,使EQ能提供的最大gainboost的频点在其最大的带宽处。例如,在re-driver芯片(一种信号重定时芯片)中,补偿信道衰减的模块主要是EQ,假如该芯片既支持USB4.0,又兼容USB3.2,那么,如果EQ电路按USB4.0的速率设计,将频点峰值(frequency peaking)设计为10GHz,最大的gain boost为15dB,同时考虑长、短信道的情况,设计为0-15dB内可调,则在USB3.2奈奎斯特频率点(5GHz)的位置,其gain boost会远小于15dB,对于USB3.2信道重衰减的应用会受限。而假如要将frequency peaking设计为5GHz,其最大的gain boost也设计到15dB,那么在10GHz处的gain boost将远大于15dB,会严重浪费功耗,同时也很难保证gain boost在0-15dB内可调,特别是很难覆盖最低的gain boost。

针对相关技术中在不同协议、不同速率下,EQ需要补偿的信道衰减不同,难以做到每个顶点峰值(frequency peaking)的gain boost实现0-15dB内可调的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请提供一种均衡器电路,以解决相关技术中在不同协议、不同速率下均衡器需要补偿的信道衰减不同的问题。

本申请提供了一种均衡器电路该均衡器电路包括电流源模块、RC网络、差分晶体管对,其中,电流源模块与RC网络电连接,RC网络与差分晶体管对电连接,均衡器电路还包括:可调有源电感模块,分别与差分晶体管对中的第一晶体管和第二晶体管电连接;控制模块,分别与电流源模块、RC网络和可调有源电感模块电连接,用于通过调节电流源模块、RC网络和可调有源电感模块的性能参数,改变均衡器电路的主极点和次极点的频率。

可选地,可调有源电感模块包括第一可调电流源、第一可调电阻、第一可调电容和第一晶体管,其中:RC网络分别与第一可调电流源、第一晶体管和第一可调电阻电连接,第一可调电阻的第一端与RC网络电连接,第一可调电阻的第二端分别与第一晶体管的栅极和第一可调电容电连接。

可选地,电流源模块包括第二电流源和第三电流源,差分晶体管对包括第二晶体管和第三晶体管,RC网络包括第二可调电阻、第二可调电容模块和第三可调电容模块,其中:第二可调电阻与第二可调电容模块并联,第二电流源与第二可调电阻与第二可调电容模块的第一并联节点电连接,第三电流源与第二可调电阻与第二可调电容模块的第二并联节点电连接,第一并联节点通过第二晶体管与第三可调电容模块的第一端电连接,第二并联节点通过第三晶体管与第三可调电容模块的第二端电连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司,未经硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310115480.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top