[发明专利]一种重布线层的制备方法及封装结构

权利要求书

1.一种重布线层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1、提供载体，并于所述载体上形成分解层；

S2、于所述分解层上作业图案化的绝缘层，以形成第一开孔，所述第一开孔显露出所述分解层；

S3、于所述第一开孔处填充导电材料，形成导电层，所述导电层的顶端高出于所述绝缘层；

S4、对所述导电层执行平坦化工艺，使所述导电层与所述绝缘层形成平坦的镶嵌式结构；

S5、于所述镶嵌式结构的上表面形成溅射层，并于所述溅射层上作业光阻层，图案化所述光阻层以形成第二开孔，所述第二开孔显露出所述溅射层，且第二开孔的位置与平坦化后的所述导电层布设位置对应设置；

S6、基于所述溅射层在所述第二开孔中电镀金属，以形成金属互联层；

S7、去除图案化的所述光阻层和被所述光阻层覆盖的所述溅射层，以形成重布线层。

2.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S2中所述绝缘层的厚度与所述第一开孔的深度一致，且均为20μm～30μm。

3.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S3中所述导电材料为银浆材料或铜浆材料，填充所述导电材料的方法包括印刷法、化学镀法中的一种或组合。

4.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S4中所述平坦化工艺为研磨去除法或化学机械抛光法。

5.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S5中所述溅射层为Cu层和Ti层的叠层结构，且所述Cu层位于所述Ti层的上方。

6.根据权利要求1所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S7中去除图案化的所述光阻层的方法为采用槽式浸泡去胶液或单片旋转喷去胶液的方式，将光阻层剥离溶解在去胶液中进行去除。

7.根据权利要求5所述的重布线层的制备方法，其特征在于：步骤S7中去除被所述光阻层覆盖的所述溅射层的方法，包括以下步骤：先通过铜刻蚀液去除Cu层，再通过钛刻蚀液刻蚀掉Ti层。

8.一种封装结构，其特征在于：所述封装结构包括：

载体以及形成于所述载体上的分解层；

绝缘层，所述绝缘层间隔形成于所述分解层的表面，并形成间隔设置的第一开孔；

导电层，所述导电层形成于所述第一开孔中，所述导电层与所述绝缘层形成齐平的镶嵌式结构；

图案化的溅射层，图案化的所述溅射层包括若干个间隔设置的溅射层，所述溅射层形成于所述镶嵌式结构的表面，每个所述溅射层完全覆盖相对应的所述导电层，且部分覆盖位于所述导电层相邻两侧的所述绝缘层；

金属互联层，所述金属互联层形成于图案化的所述溅射层的表面。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于：所述第一开孔的深度为20μm～30μm。

10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于：所述溅射层为Cu层和Ti层的叠层结构，且所述Cu层位于所述Ti层的上方。