[发明专利]快恢复二极管的制备方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一第一N型衬底；

在所述第一N型衬底上形成N型外延层；

对所述N型外延层和所述第一N型衬底进行第一次电子辐照处理，并进行第一次退火处理；

提供一第二N型衬底；

对所述第二N型衬底进行第二次电子辐照处理，并进行第二次退火处理；其中，所述第一次电子辐照处理的辐照剂量大于所述第二次电子辐照处理的辐照剂量；

将所述第一N型衬底远离所述N型外延层的一面与所述第二N型衬底键合；以及

在所述N型外延层远离所述第二N型衬底的一侧形成阳极，并在所述第二N型衬底远离所述N型外延层的一侧形成阴极。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次电子辐照处理的辐照剂量为100至500KGy，所述第二次电子辐照的辐照剂量为30至400KGy。

3.根据权利要求2所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次电子辐照的辐照剂量与所述第二次电子辐照的辐照剂量的差值大于50KGy。

4.根据权利要求3所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的退火温度以及所述第二次退火处理的退火温度为300至400℃，所述第一次电子辐照处理的辐照剂量为445KGy，所述第二次电子辐照的辐照剂量为384KGy。

5.根据权利要求4所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述N型外延层以及所述第一N型衬底进行第一次电子辐照处理，并进行第一次退火处理之后，以及所述提供一第二N型衬底之前，还包括：

去除所述第一N型衬底以及部分所述N型外延层，以使所述N型外延层的厚度为40至100微米；

所述将所述第一N型衬底远离所述N型外延层的一面与所述第二N型衬底键合，包括：

将所述N型外延层与所述第二N型衬底键合。

6.根据权利要求5所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述第二N型衬底进行第二次电子辐照处理，并进行第二次退火处理之后，以及所述将所述第一N型衬底远离所述N型外延层的一面与所述第二N型衬底键合之前，还包括：

去除部分所述第二N型衬底，以使所述第二N型衬底的厚度为100至600微米。

7.根据权利要求6所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一N型衬底上形成N型外延层之后，以及所述对所述N型外延层和所述第一N型衬底进行第一次电子辐照处理，并进行第一次退火处理之前，还包括：

在所述N型外延层远离所述第一N型衬底的一侧上生成氧化层，并进行蚀刻处理，以暴露部分所述N型外延层；

以所述氧化层为遮挡，对所述N型外延层进行掺杂处理，以使所述N型外延层具有P型区和终端P型区；以及

去除所述氧化层。

8.根据权利要求7所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述去除所述氧化层之后，还包括:

在所述N型外延层远离所述第一N型衬底的一侧上设置第一铂材料层，并进行第三次退火处理；

去除所述第一铂材料层。

9.根据权利要求8所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第三次退火处理的退火温度为905至949℃，所述第三次退火处理的退火时间为30至300分钟。

10.根据权利要求9所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第三次退火处理的退火温度为910℃，所述第三次退火处理的退火时间为60分钟。