[发明专利]一种LiSc1-x

权利要求书

1.一种LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料，其特征在于：化学通式为LiSc_1-xLu_xGeO₄:yLn³⁺,zEu³⁺；其中，Ln选自Tb、Pr或者Bi，0≤x≤1，0.0001≤y≤0.02，0.0001≤z≤0.02。

2.根据权利要求1所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料，其特征在于：晶体结构为正交晶系，空间群为Pnma(62)。

3.根据权利要求1所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料，其特征在于：可被X射线或254nm紫外光激发，并产生载流子的存储。

4.一种权利要求1～3任一项所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)根据元素摩尔之比为Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu＝1:1-x:x:1:4:y:z的比例关系，分别称取含各元素的化合物原料；

2)将步骤1)称取的化合物原料混合均匀，在氧化性气氛下于1050～1350℃的温度下进行高温处理，得到所述LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料。

5.根据权利要求4所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料的制备方法，其特征在于：所述高温处理的保温时间为3～10小时。

6.根据权利要求4所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料的制备方法，其特征在于：所述高温处理的升温过程是以3～5℃/min的升温速率升温至1050～1350℃，降温过程为随炉自然冷却。

7.根据权利要求4所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料的制备方法，其特征在于：所述氧化性气氛为氧气气氛或空气气氛。

8.根据权利要求4所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料的制备方法，其特征在于：所述化合物原料中，

含锂的化合物原料为氧化锂、碳酸锂或氟化锂中的至少一种；

含钪的化合物原料为氧化钪、氟化钪、钪锭或硝酸钪中的至少一种；

含镥化合物原料为氧化镥、氟化镥或无水氯化镥中的至少一种；

含锗的化合物原料为锗粉、氧化锗或碘化锗中的至少一种；

含铽的化合物原料为氧化铽、氯化铽或氟化铽中的至少一种；

含镨的化合物原料为氧化镨、氯化镨或氟化镨中的至少一种；

含铋的化合物原料为铋粉、氧化铋或氯化铋中的至少一种；

含铕的化合物原料为氧化铕、氟化铕、氯化铕或硝酸铕中的至少一种。

9.权利要求1～3任一项所述的LiSc_1-xLu_xGeO₄:Ln³⁺,Eu³⁺光存储材料在X射线成像、信息存储或防伪领域中的应用。