[发明专利]一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片有效
| 申请号： | 202310126507.0 | 申请日： | 2023-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN115939932B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 鄢静舟;薛婷;柯程;季晓明;王坤;杨奕;吴建忠 | 申请（专利权）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22 |
| 代理公司： | 泉州市博一专利事务所(普通合伙) 35213 | 代理人： | 苏秋桂 |
| 地址： | 362100 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单模 良率弯 波导 dfb 激光器 芯片 | ||
1.一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片，其特征在于：包括形成于衬底上方的激光器腔，所述激光器腔沿y方向的两端面分别为AR涂层解理面和HR涂层解理面；所述激光器腔具有包含光栅层的波导，所述波导包括依次连接的第一直波导、第一弯波导、可调直波导、第二弯波导和第二直波导；所述第一弯波导和第二弯波导均为平滑曲线波导，且第一弯波导和第二弯波导的首尾两端的切线均与y方向平行；所述可调直波导沿y方向的长度H的取值范围为： ，其中L表示所述波导的沿y方向的长度。
2.如权利要求1所述的一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片，其特征在于：所述第一弯波导和第二弯波导的设计参数的计算公式为：
其中：表示光栅的周期长度；和分别表示第一弯波导和第二弯波导沿x方向的相对弯折角度；和分别表示第一弯波导和第二弯波导沿y方向的有效长度。
3.如权利要求2所述的一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片，其特征在于：所述第一弯波导和第二弯波导均可沿x方向的正方向或反方向弯折，且所述第一弯波导的相对弯折角度的取值范围为：5°＜＜30°，所述第二弯波导的相对弯折角度的取值范围为：5°＜＜30°。
4.如权利要求1所述的一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片，其特征在于：所述第一直波导、第一弯波导、可调直波导、第二弯波导和第二直波导沿x方向的宽度均为W，且W的取值范围为0.8μm＜W＜3μm。
5.如权利要求1所述的一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片，其特征在于：所述激光器腔的外延结构为脊波导结构，其由下至上依次包括n-InP缓冲层、下限制层、量子阱层、上限制层、光栅层和接触层；所述波导由所述接触层刻蚀至所述上限制层。
6.如权利要求1或5所述的一种高单模良率弯波导DFB激光器芯片，其特征在于：采用全息曝光光刻技术制作所述光栅层。
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