[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202310130776.4 | 申请日: | 2023-02-06 |
公开(公告)号: | CN116056493A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 王斌;梁翠翠;关新兴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H10K50/86 | 分类号: | H10K50/86;H10K59/40;H10K59/122;H10K71/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
发光功能层,包括:像素界定层和多个发光器件,所述像素界定层包括与所述发光器件一一对应的多个像素容纳孔,所述发光器件位于对应的像素容纳孔内;
半透降反层,位于所述发光器件远离所述衬底基板的一侧,所述半透降反层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述像素容纳孔在所述衬底基板上的正投影,所述半透降反层的光透过率为30%~70%。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括封装层,位于所述发光器件远离所述衬底基板的一侧;
所述半透降反层位于所述封装层远离所述衬底基板一侧;
或者,所述半透降反层位于所述封装层与所述发光器件之间;
或者,所述半透降反层位于所述封装层内部。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述半透降反层包括:与所述发光器件一一对应的多个半透降反图形,所述半透降反图形在所述衬底基板上的正投影覆盖对应的所述发光器件,任意相邻的所述半透降反图形之间存在间隔区域。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括第一遮光图形,
所述第一遮光图形与所述半透降反图形一体成型,所述第一遮光图形填充所述间隔区域,所述第一遮光图形的厚度大于所述半透降反图形的厚度。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括透明支撑图形,所述透明支撑图形位于对应的所述半透降反图形靠近所述衬底基板的一侧,所述透明支撑图形与对应的所述半透降反图形相接触,所述半透降反图形远离所述衬底基板的一侧表面与所述第一遮光图形远离衬底基板一侧表面平齐;
或者,半透降反图形靠近衬底基板的一侧表面与第一遮光图形靠近衬底基板一侧表面平齐,所述半透降反图形和所述遮光图远离衬底基板的一侧形成有平坦化层。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述半透降反层为面状膜层。
7.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件包括沿远离所述衬底基板方向设置的第一电极、发光层和第二电极;
所述半透降反图形与所述第二电极相接触,所述半透降反图形为金属材料,且所述半透降反图形中的金属元素与所述第二电极中的金属元素相同。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件的第一电极和发光层位于对应像素容纳孔内,所述第二电极位于所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧,所述显示基板还包括位于所述间隔区域的抑制图形,所述抑制图形位于所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧;所述像素界定层包括遮光材料;和/或,
所述显示基板还包括第二遮光图形,所述第二遮光图形位于任意相邻的所述发光器件之间;和/或,
所述显示基板还包括触控层,所述触控层包括沿远离所述衬底基板方向设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层,所述第一导电层包括位于与所述发光器件对应的第一透明导电图形,和位于任意相邻第一透明导电图形之间的第一黑化导电图形,所述第二导电层包括位于与所述发光器件对应的第二透明导电图形,和位于任意相邻第二透明导电图形之间的第二黑化导电图形。
9.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
形成发光功能层,所述发光功能层包括:像素界定层和多个发光器件,所述像素界定层包括与所述发光器件一一对应的多个像素容纳孔,所述发光器件位于对应的像素容纳孔内;
形成半透降反层,所述半透降反层位于所述发光器件远离所述衬底基板的一侧,所述半透降反层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述像素容纳孔在所述衬底基板上的正投影,所述半透降反层的光透过率为30%~70%。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-8任意一项所述的显示基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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