[发明专利]一种双压力感应双信号输出的智能传感器

权利要求书

1.一种双压力感应双信号输出的智能传感器，包括智能传感器本体，其特征在于：所述智能传感器本体包括加压端口(1)、金属薄膜(2)、两个全桥压力感应单元(3)、信号调理芯片和金属外壳(7)，所述金属外壳(7)的顶端内侧设置有工程塑胶探针支架(8)，所述金属外壳(7)的内部安装有探针(6)，所述探针(6)的底端设置有PCB支架(4)，所述PCB支架(4)的底端安装有加压端口(1)，所述加压端口(1)内侧有压力感应的传感器粘贴金属薄膜(2)，所述传感器粘贴金属薄膜(2)上贴有两个全桥压力感应单元(3)，所述加压端口(1)的顶部设有双颈结构(9)，所述智能传感器本体内部利用双颈结构(9)采用了同轴双颈应力消除设计和频移双颈应力消除设计。

2.根据权利要求1所述的一种双压力感应双信号输出的智能传感器，其特征在于：全桥压力感应单元(3)设置在传感器粘贴金属薄膜(2)的顶端，所述PCB支架(4)的内侧设置有BONDING(绑定)电子线路和探针链接PCB(5)。

3.根据权利要求2所述的一种双压力感应双信号输出的智能传感器，其特征在于：所述全桥压力感应单元(3)设置有两个，所述探针(6)或弹簧设置有四个或三个。

4.根据权利要求3所述的一种双压力感应双信号输出的智能传感器，其特征在于：两个所述全桥压力感应单元(3)处于同时运行或者各自独立运行状态。

5.根据权利要求3所述的一种双压力感应双信号输出的智能传感器，其特征在于：SENT输出用三个探针(6)，而双模拟输出用四个探针(6)。

6.根据权利要求1所述的一种双压力感应双信号输出的智能传感器，其特征在于：所述全桥压力感应单元(3)基于单晶硅、多晶硅或氮化镓材料及SOI工艺技术进行制作，其中SOI为绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。

7.根据权利要求6所述的一种双压力感应双信号输出的智能传感器，其特征在于：所述全桥压力感应单元(3)通过绑定工艺(即Bonding)直接安装到PCB板上。

8.根据权利要求7所述的一种双压力感应双信号输出的压力智能传感器，其特征在于：所述双全桥压力感应单元(3)产生并传输相应的SENT或模拟信号。