[发明专利]快恢复二极管的制备方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一第一N型衬底；

在所述第一N型衬底的一侧设置铂材料层，并进行第一次退火处理，去除所述铂材料层；或者，对所述第一N型衬底进行电子辐照处理，并进行第二次退火处理；

提供一第二N型衬底；

将所述第一N型衬底与所述第二N型衬底键合；以及

在所述第一N型衬底远离所述第二N型衬底的一侧形成阳极，并在所述第二N型衬底远离所述第一N型衬底的一侧形成阴极。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的退火温度为750至950℃，所述电子辐照处理的辐照剂量为30至500KGy。

3.根据权利要求2所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的退火温度为905至949℃，所述电子辐照的辐照剂量为430至450KGy。

4.根据权利要求3所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的退火温度为910℃，所述电子辐照处理的辐照剂量为445KGy。

5.根据权利要求4所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述第一N型衬底的一侧设置铂材料层，并进行第一次退火处理，去除所述铂材料层；或者，对所述第一N型衬底进行电子辐照处理，并进行第二次退火处理之后，以及在所述提供一第二N型衬底之前，还包括：

对所述第一N型衬底的背面进行第一次减薄处理。

6.根据权利要求5所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一N型衬底远离所述第二N型衬底的一侧形成阳极，并在所述第二N型衬底远离所述第一N型衬底的一侧形成阴极，包括：

在所述第一N型衬底远离所述第二N型衬底的一侧形成阳极；

对所述第二N型衬底的背面进行第二次减薄处理，所述第二N型衬底为直拉法制备的单晶硅，所述第二N型衬底的电阻率为0.001至0.01欧姆·米；

在所述第二N型衬底远离所述第一N型衬底的一侧形成阴极。

7.根据权利要求6所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，在所述提供一第一N型衬底之后，以及在所述第一N型衬底的一侧设置铂材料层，并进行第一次退火处理，去除所述铂材料层，或者，对所述第一N型衬底进行电子辐照处理，并进行第二次退火处理之前，还包括：

在所述第一N型衬底的一侧上生成氧化层，并进行蚀刻处理，以暴露部分所述N型外延层；

以所述氧化层为遮挡，对所述第一N型衬底进行离子注入处理，以使所述第一N型衬底具有P型区和终端P型区；以及

去除所述氧化层。

8.根据权利要求7所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述离子注入处理的离子注入剂量为1e12-5e15cm^-2。

9.根据权利要求8所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述离子注入处理的注入能量50KeV-1MeV。

10.根据权利要求9所述的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的退火时间为20至300分钟。