[发明专利]一种无压液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 202310133308.2 | 申请日: | 2023-02-20 |
公开(公告)号: | CN115838290B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 闫永杰;丁杰 | 申请(专利权)人: | 南通三责精密陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/626;C04B35/64 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 智业 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无压液相 烧结 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种无压液相烧结碳化硅陶瓷,其特征在于,所述碳化硅陶瓷由素坯依次经过加热脱胶和无压液相烧结后得到,所述素坯由造粒粉体压制而成,所述造粒粉体由浆料经过离心喷雾造粒后得到,所述浆料的组分包括去离子水,所述浆料中除了去离子水外还包括如下重量份的组分:碳化硅原粉100份,烧结助剂3-5份,聚乙烯醇0.5-1.5份,四甲基氢氧化铵0.5-1.5份,尿素0.5-1.5份,脱模剂0.5-1份;所述烧结助剂为含有氧化钇粉体和氧化铝粉体的水分散液;所述碳化硅原粉的平均粒径为0.5-2μm;所述造粒粉体的平均粒径为30-150μm;
所述碳化硅原粉按照如下方法制备:
(1)将葡萄糖、硅源和果胶溶液混合,得到前驱液;本步骤中,硅源包括石英砂和硅溶胶;所述硅源中的石英砂的粒径为0.075-0.15mm;所述硅源的组分还包括球形二氧化硅微粉,所述球形二氧化硅微粉的平均粒径2μm;所述硅源还包括多孔石英粉体,所述多孔石英粉体的平均粒径2μm;
(2)在120-140℃将前驱液烘干,然后在640-680℃的氮气气氛中对烘干剩余物进行加热炭化,得到前驱体;
(3)在1200-1500℃的条件下将前驱体保温110-130min,得到碳化硅粗品,使用氢氟酸洗涤碳化硅粗品,再在600-700℃灼烧1.5-2.5h,灼烧剩余物经过粉碎后得到碳化硅原粉;
所述无压液相烧结碳化硅陶瓷的制备方法包括以下步骤:
(1)将氧化铝、氧化钇和去离子水混合,经过搅拌和水浴加热后得到烧结助剂;
(2)将去离子水、烧结助剂、聚乙烯醇、四甲基氢氧化铵、尿素混合后以100-500rpm的速率球磨5-24h,然后再加入碳化硅原粉继续球磨12-24h,然后再加入脱模剂继续球磨1.5-2.5h,得到浆料;若浆料的粘度在1000-2000cp之间,则停止球磨,若浆料的粘度大于2000cp,则加入去离子水继续球磨直到浆料的粘度达到1000-2000cp;
(3)将浆料过80-120目筛网滤去结块,然后进行离心喷雾造粒,得到平均粒径为30-150μm的造粒粉体;
(4)将造粒粉体用150Mpa的压强初步压制成型,然后再以150-200MPa的压强进行湿式等静压成型压片,得到素坯;
(5)将素坯放置于压强20-50pa的条件下,以2-3℃/min的速率升温至440-460℃,然后保温25-35min,再以0.8-1.2℃/min的速率升温至780-820℃,然后保温25-35min,再以2.8-3.2℃/min的速率升温至880-920℃,继续保温8-12min后等待素坯自然冷却至20-30℃;
(6)将冷却后的素坯放置在压强20-100pa的炉腔中,然后以5-10℃的速率升温至1500-1550℃,然后向炉腔中充入氩气至压强为0.05-0.055MPa,再以1-1.5℃/min的速率进行升温,升温的同时降压排除氩气,直到将温度提升至1600-1800℃,然后保温50-70min,接着等待炉腔降温至20-50℃,得到无压液相烧结碳化硅陶瓷。
2.根据权利要求1所述的无压液相烧结碳化硅陶瓷,其特征在于,所述浆料中除了去离子水外还包括如下重量份的组分:碳化硅原粉100份,烧结助剂3.5-4.5份,聚乙烯醇0.7-1.3份,四甲基氢氧化铵0.7-1.3份,尿素0.7-1.3份,脱模剂0.6-0.9份。
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