[发明专利]一种芯片及其制造方法、封装结构

权利要求书

1.一种芯片制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；所述晶圆包括形成于衬底上的主芯片区域和切割道区域；所述切割道区域包括第一区域和第二区域；所述第二区域位于所述主芯片区域与所述第一区域之间；所述第一区域包括介质材料层和金属结构，所述第二区域包括所述介质材料层且不包括所述金属结构；

对所述第一区域执行划片切割，以切除所述第一区域并将所述晶圆切割为若干个芯片；

对所述第二区域执行第一倒角切割，以在所述若干个芯片的边角区域形成暴露所述衬底的倒角；所述第一倒角切割为激光切割；

对所述衬底执行第二倒角切割，以去除暴露的所述衬底，得到倒角后的芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述倒角的侧壁为直形或弧形。

3.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述对所述衬底执行第二倒角切割，包括：

对暴露的所述衬底执行Bosch刻蚀；所述Bosch刻蚀包括向所述衬底多次交替输送刻蚀气体与钝化气体。

4.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述介质材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域执行划片切割之前，所述芯片制造方法还包括：

在所述晶圆上覆盖激光保护液。

6.根据权利要求5所述的芯片制造方法，其特征在于，所述在所述晶圆上覆盖激光保护液之前，所述芯片制造方法还包括：

将所述晶圆的正面与支撑晶圆进行临时键合；

对所述晶圆与所述正面相对的背面执行减薄工艺，以去除部分所述衬底；

执行解键合，将所述晶圆与所述支撑晶圆分离；

将所述晶圆的背面粘附在切割带上。

7.根据权利要求6所述的芯片制造方法，其特征在于，所述划片切割为激光切割。

8.根据权利要求7所述的芯片制造方法，其特征在于，所述划片切割的切割宽度大于或等于所述第一区域的宽度，并且所述划片切割的切割宽度小于所述切割道区域的宽度。

9.一种芯片，其特征在于，所述芯片由权利要求1至8任一项所述的芯片制造方法制得。

10.一种封装结构，其特征在于，包括半导体基底和位于所述半导体基底上的多个芯片；所述芯片由权利要求1至8任一项所述的芯片制造方法制得；所述芯片与芯片之间填充有模制材料。