[发明专利]一种用于半导体镀膜工艺腔室的清洁方法

权利要求书

1.一种用于半导体镀膜工艺腔室的清洁方法，其特征在于，所述清洁方法包括以下步骤：

(1)向工艺腔室内通入氩气，并开启射频功率源向工艺腔室内施加射频能量，将氩气激发成等离子体；

(2)在持续施加射频能量下，向工艺腔室内通入反应气体，与腔室内镀膜残留的副产物反应；所述反应气体包含八氟环丁烷、一氧化二氮和氮气；

(3)待反应结束后，向工艺腔室内通入氮气，去除腔室内残留的污垢。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，步骤(1)中，通入氩气的流量为100～200sccm，时间为2～8s。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，步骤(2)中，通入八氟环丁烷的流量为4～15sccm，时间为50～300s。

4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，步骤(2)中，通入一氧化二氮的流量为5～50sccm，时间为50～300s。

5.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，步骤(2)中，通入氮气的流量为300～1000sccm，时间为50～300s。

6.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，步骤(2)中，通入反应气体的同时继续通入氩气，所述氩气的流量为100～200sccm，时间为50～300s。

7.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，步骤(2)中，所述副产物包含SiO₂、Si₃N₄或SiO_xN_y中的一种或多种，x、y＞0。

8.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，步骤(3)中，通入氮气的流量为300～1000sccm，时间为10～20s。

9.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述射频功率为20～200W，频率为13.56MHz。

10.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，在清洗过程中，工艺腔室内维持恒定的温度和压强；所述工艺腔室的温度为200～350℃，压强为1～3Torr。