[发明专利]一种耐高温无机胶、制备方法、应用及限制CVD金刚石晶种漂移的方法在审
申请号: | 202310144889.X | 申请日: | 2023-02-21 |
公开(公告)号: | CN116144271A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 王垒 | 申请(专利权)人: | 上海晶世创新材料科技有限公司 |
主分类号: | C09J1/00 | 分类号: | C09J1/00;C09J11/04;C23C16/02;C23C16/458;C23C16/27 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 金彦;许亦琳 |
地址: | 201611 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐高温 无机 制备 方法 应用 限制 cvd 金刚石 漂移 | ||
本发明提供一种耐高温无机胶、制备方法、应用及限制CVD晶种漂移的方法。耐高温无机胶包括:硅酸铝100~400重量份;磷酸铝50~200重量份;氧化铜‑铜‑钛‑金刚石复合材料或氧化铜‑钛‑金刚石复合材料50~400重量份;磷酸50~200重量份;分散剂100~400重量份。限制CVD金刚石晶种漂移的方法,在CVD金刚石晶种化学气相沉积生长前,在CVD金刚石晶种的底部涂覆耐高温无机胶,平压在钼片上并进行固化。本发明耐高温无机胶能够耐温1200℃以上且容易胶结取下;通过耐高温无机胶将CVD金刚石晶种与钼片粘结,在化学气相沉积生长时限制晶种漂移。
技术领域
本发明涉及无机胶和金刚石技术领域,尤其涉及一种耐高温无机胶、制备方法、应用及限制CVD晶种漂移的方法。
背景技术
在CVD金刚石晶种生长初期,由于晶种较薄,质量较轻,晶种底部与沉积平台如钼片接触面光华摩檫力不够,在升温过程种由于钼片表面吸附的气体脱吸附,使得金刚石与钼片形成“气垫”,容易造成样品移动,到处飘动,甚至漂出钼片区域,无法生长。常用的处理方法有钼片开槽限制晶种漂移的范围、钼片表面毛化等,但晶种仍然有可能飞出槽外,导致生长中断。
发明内容
本发明的目的在于提供一种耐高温无机胶、制备方法、应用及限制CVD晶种漂移的方法,以解决现有技术中金CVD金刚石晶种漂移的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明第一方面提供一种耐高温无机胶,包括如下各组分:
硅酸铝100~400重量份,如100~200重量份、200~300重量份或300~400重量份;
磷酸铝50~200重量份,如50~100重量份、100~150重量份或150~200重量份;
氧化铜-铜-钛-金刚石复合材料或氧化铜-钛-金刚石复合材料50~400重量份,如50~150重量份、150~200重量份或200~400重量份;
磷酸50~200重量份,如50~100重量份、100~150重量份或150~200重量份;
分散剂100~400重量份,如100~200重量份、200~300重量份或300~400重量份。
优选地,以所述氧化铜-铜-钛-金刚石复合材料或所述氧化铜-钛-金刚石复合材料总质量计,各组分的质量百分比如下:
金刚石73~98.9%,如73~81%、81~90%或90~98.9%;
钛0.1~2%,如0.1~1%、1~1.5%或1.5~2%;
铜0~20%,如0~4.5%、4.5~15%或15~20%;
氧化铜1~5%,如1~3%、3~4%或4~5%;
和/或,所述氧化铜-铜-钛-金刚石复合材料或所述氧化铜-钛-金刚石复合材料的粒径为5~40μm,如5~10μm、10~20μm、20~30μm或30~40μm;
和/或,所述氧化铜-铜-钛-金刚石复合材料或所述氧化铜-钛-金刚石复合材料通过包括如下步骤的制备方法获得:
1)将金刚石和钛粉在真空条件下进行加热、保温、降温和筛分,得到表面镀钛的金刚石;
2)将步骤1)得到的表面镀钛的金刚石进行电镀铜,得到铜-钛-金刚石复合材料;
3)将步骤2)得到的铜-钛-金刚石复合材料在氧气条件下进行表面铜的部分氧化或全部氧化、筛分;
和/或,所述分散剂选自水和乙醇中的至少一种。
更优选地,步骤1)中,所述金刚石的粒径为5~30μm,如5~10μm、10~20μm或20~30μm;
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