[发明专利]多区域台阶高度控制的实现方法在审
| 申请号： | 202310146656.3 | 申请日： | 2023-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116053142A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 姜林鹏;李超群;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 区域 台阶 高度 控制 实现 方法 | ||
1.一种多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有多个半导体结构，在所述衬底上形成覆盖所述半导体结构的硬掩膜层，之后刻蚀所述硬掩膜层至所述半导体结构的顶端裸露，从而形成侧墙结构；
步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述半导体结构、所述硬掩膜层的牺牲层；
步骤三、在所述牺牲层上形成光刻胶层，打开光刻胶层使得部分所述半导体结构上的所述牺牲层裸露；
步骤四、去除裸露的所述牺牲层以及剩余的所述光刻胶层，形成待刻蚀图形；
步骤五、回刻蚀所述待刻蚀图形，使得不同区域的所述侧墙结构的高度不同。
2.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅衬底。
3.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体结构的材料为单晶硅或单晶锗硅。
4.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀的方法为干法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤二中所述牺牲层的材料为SiN、氧化物、SiON、SiOCN中的一种。
7.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤二中所述牺牲层的厚度为1至10纳米。
8.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤四中利用湿法刻蚀的方法去除裸露的所述牺牲层以及剩余的所述光刻胶层。
9.根据权利要求1所述的多区域台阶高度控制的实现方法，其特征在于：步骤五中回刻蚀的方法为干法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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